[發明專利]半導體元件及其制作方法在審
| 申請號： | 202310488305.0 | 申請日： | 2018-10-08 |
| 公開（公告）號： | CN116583165A | 公開（公告）日： | 2023-08-11 |
| 發明（設計）人： | 陳禹鈞;馮雅圣;邱久容;林宏展 | 申請（專利權）人： | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H10N50/10 | 分類號： | H10N50/10;H10N50/01;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 王銳 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 及其 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件，其特征在于，包含：
磁性隧穿接面(magnetic?tunneling?junction,MTJ)，設于基底上，其中該MTJ的上視剖面包含第一圓形；
金屬內連線，設于該MTJ上，其中該金屬內連線的上視剖面包含第二圓形重疊部分該第一圓形。
2.如權利要求1所述的半導體元件，其中未被該第二圓形所重疊的部分該第一圓形包含第一新月形狀。
3.如權利要求1所述的半導體元件，其中未重疊該第一圓形的部分該第二圓形包含第二新月形狀。
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