[發明專利]一種類自支撐柔性無機熱電薄膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202310461724.5
• 申請日: 2023-04-23
• 公開（公告）號: CN116367688A
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 鄭壯豪;吳博;陳躍星;梁廣興;范平
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H10N10/01
• 分類號: H10N10/01;H10N10/852
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉

1.一種類自支撐柔性無機熱電薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供鹽類襯底；

在所述鹽類襯底表面制備熱電薄膜；

在所述熱電薄膜表面制備有機物襯底，得到含有類自支撐襯底的熱電薄膜；

將所述含有類自支撐襯底的熱電薄膜浸漬在水中，待所述鹽類襯底溶解后得到類自支撐柔性無機熱電薄膜。

2.根據權利要求1所述的類自支撐柔性無機熱電薄膜的制備方法，其特征在于，所述鹽類襯底的材質選自鈉鹽、鉀鹽、硝酸鹽、銨鹽、小蘇打中的一種。

3.根據權利要求1所述的類自支撐柔性無機熱電薄膜的制備方法，其特征在于，所述熱電薄膜包括Sb₂Te₃薄膜、SnSe薄膜、Bi₂Te₃薄膜、Cu₂Se薄膜中的一種。

4.根據權利要求1所述的類自支撐柔性無機熱電薄膜的制備方法，其特征在于，所述有機物襯底的材質包括Su-8-2002光刻膠、AZ?P4620、SPR220中的一種。

5.根據權利要求1所述的類自支撐柔性無機熱電薄膜的制備方法，其特征在于，在所述鹽類襯底表面制備熱電薄膜的方法包括物理氣相沉積、單質共濺射、合金靶濺射、單質共蒸發、化合物蒸發、化學反應合成中的一種。

6.根據權利要求1所述的類自支撐柔性無機熱電薄膜的制備方法，其特征在于，所述類自支撐柔性無機熱電薄膜為類自支撐柔性Sb₂Te₃薄膜，所述類自支撐柔性Sb₂Te₃薄膜的制備方法包括步驟：

在NaCl襯底上鍍Sb薄膜；

在玻璃襯底上鍍Te薄膜；

將所述Sb薄膜和所述Te薄膜進行加熱貼合處理，得到具有NaCl襯底的Sb₂Te₃薄膜；

在所述Sb₂Te₃薄膜表面旋涂Su-8-2002光刻膠，依次經第一次加熱處理、曝光處理、第二次加熱處理，得到含有類自支撐襯底的Sb₂Te₃薄膜；

將所述含有類自支撐襯底的Sb₂Te₃薄膜浸漬在水中，待所述NaCl襯底溶解后得到所述類自支撐柔性Sb₂Te₃薄膜。

7.根據權利要求6所述的類自支撐柔性無機熱電薄膜的制備方法，其特征在于，在NaCl襯底上鍍Sb薄膜時，鍍膜氣壓為4.5*E-5mtorr，蒸發功率為22W，蒸發功率速率為2W/min；

在玻璃襯底上鍍Te薄膜時，鍍膜氣壓為4.5*E-5mtorr，蒸發功率為20W，蒸發功率速率為2W/min。

8.根據權利要求6所述的類自支撐柔性無機熱電薄膜的制備方法，其特征在于，所述加熱貼合處理的溫度為340-360℃，所述加熱貼合處理的時間為25-35min。

9.根據權利要求6所述的類自支撐柔性無機熱電薄膜的制備方法，其特征在于，待所述NaCl襯底溶解后，還包括烘干處理；所述烘干處理的溫度為60-80℃，所述烘干處理的時間為10-20min。

10.一種利用權利要求1-9任一項所述類自支撐柔性無機熱電薄膜的制備方法制得的類自支撐柔性無機熱電薄膜。