[發明專利]一種SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法在審
| 申請號： | 202310427884.8 | 申請日： | 2023-04-20 |
| 公開（公告）號： | CN116322247A | 公開（公告）日： | 2023-06-23 |
| 發明（設計）人： | 高香香;白皓宇;常晶晶;林珍華;蘇杰;張進成;郝躍 | 申請（專利權）人： | 西安電子科技大學 |
| 主分類號： | H10K71/30 | 分類號： | H10K71/30;H10K71/40;H10K85/20;H10K10/46 |
| 代理公司： | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人： | 段俊濤 |
| 地址： | 710071 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 swcnts 薄膜晶體管 器件 摻雜 方法 | ||
1.一種SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1，在親水處理后的基板上交替吸附帶正電聚合物水溶液和SWCNTs溶液，組裝SWCNTs薄膜；
步驟2，使用P型摻雜劑處理步驟1制備的SWCNTs薄膜；
步驟3，用步驟2處理后的SWCNTs薄膜制備場效應晶體管器件。
2.根據權利要求1所述SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法，其特征在于，所述步驟1，基板為帶有厚度90nm-300nm?SiO2氧化層的Si片。
3.根據權利要求1所述SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法，其特征在于，所述步驟1，親水處理方式為氧等離子體表面處理或者UV清洗機處理。
4.根據權利要求1所述SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法，其特征在于，所述步驟1，帶正電聚合物為聚乙烯亞胺或者聚二烯丙基二甲基氯化銨，質量分數為0.1％-0.5％。
5.根據權利要求1所述SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法，其特征在于，所述步驟1，在商業購買的SWCNTs溶液中加入10-15mg/mL的膽酸鈉，調控SWCNTs溶液離子強度，隨著膽酸鈉加入量的增加，SWCNTs溶液離子強度增加。
6.根據權利要求1所述SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法，其特征在于，所述步驟1，交替N次，制得N層的SWCNTs薄膜。
7.根據權利要求1所述SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法，其特征在于，所述步驟2，處理方法為：
將P型摻雜劑溶于無水二氯乙烷，得到濃度為10±5mg/mL的P型摻雜劑溶液；
將SWCNTs薄膜放置在所述P型摻雜劑溶液中，在50～80℃的烘箱中處理30±5分鐘，隨著處理溫度的升高，P型摻雜濃度增加。
8.根據權利要求1或7所述SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法，其特征在于，所述P型摻雜劑為TFSI。
9.根據權利要求1所述SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法，其特征在于，所述場效應晶體管器件的溝道長為10-100μm，寬為100-1000μm，源漏電極為Gr/Au。
10.根據權利要求1所述SWCNTs薄膜晶體管器件的P型摻雜方法，其特征在于，所述步驟3，對制備的場效應晶體管器件進行退火處理，隨著退火溫度的升高，P型摻雜濃度減小。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安電子科技大學，未經西安電子科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310427884.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
