[發(fā)明專利]一種基于NSiV雙色心的MNF磁場測試方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310401473.1 | 申請日: | 2023-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN116577705A | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 沈濤;袁悅 | 申請(專利權(quán))人: | 哈爾濱理工大學(xué) |
| 主分類號: | G01R33/032 | 分類號: | G01R33/032 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 150080 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 nsiv 色心 mnf 磁場 測試 方法 裝置 | ||
1.一種基于NSiV雙色心的MNF磁場測試方法及裝置,其特征在于:它包括光纖激光器(1)、磁場測試裝置(2)、光電轉(zhuǎn)換模塊(3)、ADC模塊(4)、微處理器(5)、計算機(jī)(6);所述方法的具體實現(xiàn)過程為:
所述光纖激光器(1)中心波長為532nm,強(qiáng)度為20mw用于產(chǎn)生光信號;
所述磁場測試裝置(2)包括旋轉(zhuǎn)磁力座(2-1)、N級磁鐵(2-2)、S級磁鐵(2-3)、磁力座供電裝置(2-4)、傳感單元(2-5),其中:
旋轉(zhuǎn)磁力座(2-1)兩端分別放置N級磁鐵(2-2)與S級磁鐵(2-3),通過磁力座供電裝置(2-4)可調(diào)節(jié)N級磁鐵(2-2)與S級磁鐵(2-3)的磁力,另外傳感單元(2-5)放置在旋轉(zhuǎn)磁力座(2-1)上;
傳感單元(2-5)為大芯多模光纖(2-5-1)與MNF(2-5-2)與大芯多模光纖(2-5-4)熔接構(gòu)成馬赫曾德結(jié)構(gòu),另外將金剛石NSiV雙色心納米材料(2-5-3)涂覆在MNF(2-5-2)的腰錐中心;
傳感單元(2-5)的具體制備過程包括馬赫曾德結(jié)構(gòu)的制作與尺寸、金剛石NSiV雙色心納米材料(2-5-3)的制作與涂覆,其中:
所述大芯多模光纖(2-5-1)長度為10cm,纖芯直徑為105μm,MNF(2-5-2)為多模光纖拉錐,纖芯直徑為35μm,長度為3cm,過渡區(qū)(2-5-2-1)長度為1.1cm,腰錐(2-5-2-2)長度為0.9cm,腰錐直徑為20μm,首先,利用氫氧焰拉錐機(jī)在單模光纖中心部分進(jìn)行拉錐,拉錐至長度為9mm,其次,MNF(2-5-2)一端與大芯多模光纖(2-5-1)利用熔接機(jī)進(jìn)行熔接直至損耗為0,最后,利用熔接機(jī)將MNF(2-5-2)另一端與大芯多模光纖(2-5-4)進(jìn)行熔接直至損耗為0;
所述金剛石NSiV雙色心納米材料(2-5-3)的制作,首先選取石英玻璃片作為基底,使用MPCVD在N2條件下沉積3nm的金剛石,參數(shù)設(shè)置為:甲烷通量為2.5sccm,H2通量為232.4sccm,N2通量為1sccm,溫度為900℃,功率為1200w,壓強(qiáng)為4030pa,沉積50min,其次,沉積Si,參數(shù)設(shè)置為:功率為50w,壓強(qiáng)為1pa,真空度為9E-4,沉積時間為70s,最后,進(jìn)行退火生成雙空位,關(guān)閉甲烷和氮?dú)猓瑓?shù)設(shè)置為:H2通量提升至155sccm,溫度設(shè)置為700℃,靜置1.5小時后待降到室溫取出金剛石NSiV雙色心納米材料(2-5-3),取定量金剛石NSiV雙色心納米材料(2-5-3)粉末溶于30ml無水乙醇中,超聲處理2小時使其均勻分散成為金剛石NSiV雙色心納米材料(2-5-3)懸濁液;
所述金剛石NSiV雙色心納米材料(2-5-3)涂覆在MNF(2-5-2)的腰錐中心采用滴涂法,首先,采用針管吸取所制金剛石NSiV雙色心納米材料(2-5-3)懸濁液,滴涂在MNF(2-5-2)的腰錐中心,干燥箱80℃干燥2h,待干燥箱降至室溫后金剛石NSiV雙色心納米材料(2-5-3)均勻涂覆在MNF(2-5-2)的腰錐中心;
所述的一種基于NSiV雙色心的MNF磁場測試方法及裝置,其特征還在于:
光纖激光器(1)發(fā)出的光束傳輸至磁場測試裝置(2)中的傳感單元(2-5),MNF(2-5-2)腰錐上的金剛石NSiV雙色心納米材料(2-5-3)會激發(fā)出600-800nm的熒光,激發(fā)光與原光束在大芯多模光纖(2-5-4)處耦合產(chǎn)生馬赫曾德干涉,當(dāng)磁場發(fā)生變化時,激發(fā)光的強(qiáng)度會隨著磁場增強(qiáng)而減弱,大芯多模光纖(2-5-4)處的干涉光發(fā)生變化,隨著磁場的改變,傳感單元(2-1)中的光譜強(qiáng)度發(fā)生漂移,經(jīng)光電轉(zhuǎn)換模塊(3)將光信號轉(zhuǎn)換為電信號,傳輸至ADC模塊(4)將連續(xù)的模擬信號轉(zhuǎn)換為離散的數(shù)字信號并進(jìn)行數(shù)據(jù)采集,經(jīng)微處理器(5)對采集數(shù)據(jù)進(jìn)行處理;
所述的一種基于NSiV雙色心的MNF磁場測試方法及裝置,其特征還在于:所述實現(xiàn)過程在于:
步驟一、對600-700nm范圍內(nèi)對傳感波峰進(jìn)行定位擬合處理:
光纖光譜近似用高斯函數(shù)進(jìn)行表示,高斯函數(shù)是公知類公式,但通過擬合與定位可以確定波谷位置,即
兩邊取對數(shù):
令
將a、b、c代入公式(2)可得
y=aλ2+bλ+c?(3)
式中I(λ)表示不同波長所對應(yīng)的光強(qiáng),λpeak表示波峰所對應(yīng)的波長值,Δλ表示波長變化量,A表示常數(shù),將采集到的波長數(shù)據(jù)帶入到公式(3)、(4)可得到波峰所對應(yīng)的中心波長值,公式(3)為二次多項式擬合形式,因此采取最小二乘法對數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合;
步驟二、改變磁場強(qiáng)度,對不同磁場強(qiáng)度所對應(yīng)的波長進(jìn)行掃描,當(dāng)磁場強(qiáng)度增大時,傳感波峰向上漂移,微處理器對變化的波長進(jìn)行采集;
步驟三、對采集到的漂移波長組進(jìn)行取點(diǎn),以Ipeak±0.17n(n=0、1、2)為中心垂直取5個交點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記,共取5組,記為L1、L2、L3、L4、L5,每組均對應(yīng)一個靈敏度,由于各點(diǎn)處波長擬合存在誤差,同時光譜各處會產(chǎn)生形變,因此采取平均靈敏度定義傳感器對磁場變化的響應(yīng);
步驟四、定義平均靈敏度公式為:
所述平均靈敏度公式為:
公式(5)中s1表示L1組的靈敏度,L1、L2、L3、L4、L5各組靈敏度與L1組靈敏度公式一致,公式(6)中d1、d2、d3、d4、d5分別為L1、L2、L3、L4、L5這5組處的強(qiáng)度值,公式(7)中s1、s2、s3、s4、s5分別為L1、L2、L3、L4、L5這5組的強(qiáng)度靈敏度,I1、I2、I3、I4、I5分別為不同的磁場強(qiáng)度,b1、b2、b3、b4、b5分別為磁場強(qiáng)度為0時為此傳感器的平均靈敏度,經(jīng)過微處理器對采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理得到最終的平均靈敏度由計算機(jī)顯示最終平均靈敏度
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