[發明專利]一種釤鈷基薄膜及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 202310397140.6 | 申請日： | 2023-04-13 |
| 公開（公告）號： | CN116555715A | 公開（公告）日： | 2023-08-08 |
| 發明（設計）人： | 邱兆國;龔巖嵩;鄭昕銳;鄭志剛;曾德長 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/14;C23C14/54 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 齊鍵 |
| 地址： | 510641 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 釤鈷基 薄膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種釤鈷基薄膜，其特征在于，包括SmxCoy組合靶層，所述SmxCoy組合靶層的組成為SmxCoy組合靶，其中x：y＝1:3～7。
2.根據權利要求1所述的釤鈷基薄膜，其特征在于，所述SmxCoy組合靶層含有晶體結構。
3.根據權利要求2所述的釤鈷基薄膜，其特征在于，所述晶體結構包括SmCo5、單質Co、Sm2Co17中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的釤鈷基薄膜，其特征在于，所述SmxCoy組合靶層的厚度為400～500nm。
5.根據權利要求1所述的釤鈷基薄膜，其特征在于，所述SmxCoy組合靶可以為Cu原子摻雜的SmxCoy組合靶。
6.根據權利要求5所述的釤鈷基薄膜，其特征在于，所述Cu原子的摻雜量為3～5at.％。
7.權利要求1～6任一項所述的釤鈷基薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
將Sm靶與Co靶貼合后，在基底層上沉積，退火，得釤鈷基薄膜。
8.權利要求7所述的釤鈷基薄膜的制備方法，其特征在于，所述沉積的溫度為25～400℃，所述沉積的時間為10-30min，所述沉積的功率為80～100W，所述沉積的壓力為0.3～1.0Pa。
9.根據權利要求7所述的釤鈷基薄膜的制備方法，其特征在于，所述退火的真空度為5×10-4～8×10-4Pa，所述退火的溫度為500～580℃，所述退火的時間為25～35min。
10.一種微機電系統薄膜，其特征在于，所述微機電系統薄膜包括權利要求1～6任一項所述的釤鈷基薄膜。
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