[發(fā)明專利]LED芯片封裝體制作方法及LED芯片封裝體

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310374020.4
• 申請(qǐng)日: 2023-04-07
• 公開（公告）號(hào): CN116314559A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 章冰霜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞市中麒光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/62
• 分類號(hào): H01L33/62;H01L33/52;H01L33/48;H01L33/00;H01L25/075
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 趙貫杰

本發(fā)明公開一種LED芯片封裝體制作方法及LED芯片封裝體，該方法包括：提供一原始基板，并在原始基板上劃分若干單元基板，單元基板正面具有第一焊盤，背面具有第二焊盤；在每一單元基板的第一焊盤上分別固定連接LED芯片；對(duì)原始基板的正面進(jìn)行封裝，以形成封裝層；對(duì)原始基板進(jìn)行裁切，以將原始基板分隔為若干基板條，且在基板條上形成位于側(cè)面的兩相對(duì)的裁切面；在每一基板條的至少一裁切面上敷設(shè)側(cè)面線路，通過側(cè)面線路使每一單元基板上的第一焊盤與對(duì)應(yīng)的第二焊盤電性連接。通過上述方法，無需在原始基板上打孔即可滿足LED芯片基板正、背兩面線路層的導(dǎo)通，從而不但有效提升LED芯片封裝工藝的加工效率，而且大幅降低成本，更能有效提升良品率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及LED顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種LED芯片封裝體制作方法及LED芯片封裝體。

背景技術(shù)

Micro?LED憑借低能耗、高亮度、高對(duì)比度及高可靠性的特性，滿足了各種像素密度和各種尺寸顯示的需求，如AR/VR、智能手表、大屏電視等。Micro?LED憑借多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)，正逐步展現(xiàn)其巨大應(yīng)用潛力，成為最佳新型高清顯示方案。

其中，MIP(Micro?LED?in?Package)是一種基于Micro?LED的新型封裝架構(gòu)，MIP封裝技術(shù)的工藝流程為：將Micro?LED芯片通過巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)轉(zhuǎn)移到載板上，進(jìn)行封裝，然后切割成單顆或多合一的芯片封裝體，再將芯片封裝體分光混光，接著再進(jìn)行貼片工藝、屏體表面封裝或覆膜，最終完成顯示屏的制作。目前，采用的載板主要是BT基板，其次可以采用玻璃基板。不管是采用BT基板還是玻璃基板，均需要在載板上制作導(dǎo)電通孔H，如圖19，以連接基板兩表面的焊盤，滿足電路導(dǎo)通的需求。

然而，由于Micro?LED芯片封裝體的尺寸較小，因此載板上的導(dǎo)電通孔一般采用激光打孔的方式制作。激光打孔需要逐一執(zhí)行，不但打孔效率低，嚴(yán)重拉低Micro?LED芯片封裝體的制作效率，而且激光加工的成本高。此外，制作導(dǎo)電通孔會(huì)降低載板的強(qiáng)度，甚至有可能導(dǎo)致載板崩裂。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種無需對(duì)載板進(jìn)行打孔即可實(shí)現(xiàn)正反兩面電路導(dǎo)通的LED芯片封裝體制作方法及LED芯片封裝體。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開了一種LED芯片封裝體制作方法，其包括：

提供一原始基板，并在所述原始基板上劃分若干單元基板，所述單元基板上具有單元電路，所述單元電路包括位于所述單元基板正面的第一焊盤以及位于所述單元基板背面的第二焊盤；

在每一所述單元基板的所述第一焊盤上分別固定連接LED芯片；

對(duì)所述原始基板的正面進(jìn)行封裝，以形成封裝層；

對(duì)所述原始基板進(jìn)行裁切，以將所述原始基板分隔為若干基板條，每一所述基板條上包括若干所述單元基板，且在所述基板條上形成位于側(cè)面的兩相對(duì)的裁切面；

在每一所述基板條的至少一裁切面上敷設(shè)側(cè)面線路，通過所述側(cè)面線路使每一所述單元基板上的所述第一焊盤與對(duì)應(yīng)的所述第二焊盤電性連接；

對(duì)所述基板條進(jìn)行裁切，以獲得若干單元封裝體。

較佳地，還包括對(duì)所述原始基板進(jìn)行線路加工的方法：

在所述原始基板的正面和背面分別覆設(shè)金屬層；

通過蝕刻方法，在所述原始基板的正面的所述金屬層上形成第一線路層，所述第一線路層包括若干所述第一焊盤，在所述原始基板的背面的所述金屬層上形成第二線路層，所述第二線路層包括若干所述第二焊盤；

且，在所述第一線路層上激光鐳射出若干縱橫分布的第一分割線，并在所述第二線路層上激光鐳射出若干縱橫分布的第二分割線，所述第二分割線與所述第一分割線正相對(duì)，通過所述第一分割線和所述第二分割線將所述原始基板劃分為若干所述單元基板，并將所述第一線路層和所述第二線路層劃分為若干所述單元電路。