[發(fā)明專利]一種降低薄片燒結(jié)釹鐵硼磁體毛坯變形量的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310286917.1 | 申請(qǐng)日: | 2023-03-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116313483A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓學(xué)一;郭鋒;劉峰;周藝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 包頭韻升強(qiáng)磁材料有限公司;寧波韻升股份有限公司;寧波韻升磁體元件技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01F41/02 | 分類號(hào): | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司: | 寧波奧圣專利代理有限公司 33226 | 代理人: | 方小惠 |
| 地址: | 014030 內(nèi)蒙古*** | 國省代碼: | 內(nèi)蒙古;15 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 降低 薄片 燒結(jié) 釹鐵硼 磁體 毛坯 變形 方法 | ||
1.一種降低薄片燒結(jié)釹鐵硼磁體毛坯變形量的方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)按照薄片燒結(jié)釹鐵硼磁體牌號(hào)進(jìn)行配料,用常規(guī)速凝甩帶工藝制備鑄片,常規(guī)速凝甩帶工藝中精煉溫度控制在1430℃~1520℃;
(2)將步驟(1)制備的鑄片放入氫碎爐中破碎,得到粗粉,破碎過程中控制氫含量≤500ppm,脫氫溫度為550℃~600℃,將粗粉放至粗粉鋼瓶中并充入惰性氣體進(jìn)行保護(hù);
(3)將步驟(2)得到的粗粉加入氣流磨進(jìn)行磨粉,磨粉過程中采用補(bǔ)氧工藝,補(bǔ)氧量控制在10~20ppm,得到粒度為3.6μm~4.0μm的細(xì)粉,將粒度為3.6μm~4.0μm的細(xì)粉放入細(xì)粉鋼瓶中并充入惰性氣體進(jìn)行保護(hù),其中磨粉粒度以馬爾文3000粒度儀作為測量標(biāo)準(zhǔn);
(4)將步驟(3)中裝有細(xì)粉的細(xì)粉鋼瓶放置在三維攪拌機(jī)支架上攪拌,攪拌時(shí)間為80min~150min,使細(xì)粉鋼瓶中的細(xì)粉分布均勻;
(5)按照薄片燒結(jié)釹鐵硼磁體的形狀和尺寸選擇相應(yīng)成型模具,將成型模具安裝在成型壓機(jī)內(nèi),并在成型壓機(jī)內(nèi)充入惰性氣體,使成型壓機(jī)內(nèi)氧含量≤500ppm,將步驟(4)中攪拌均勻的細(xì)粉倒入成型模具內(nèi),先在≥1.6T的磁場中進(jìn)行取向,然后壓制成型,得到生坯,其中成型壓機(jī)壓力控制在1MPa~5MPa,生坯密度控制在3.9g/cm3~4.1g/cm3,接著將生坯進(jìn)行包膜真空塑封處理,得到真空包裝的生坯;
(6)將步驟(5)得到的真空包裝的生坯進(jìn)行冷等靜壓,得到冷等靜壓的生坯,其中冷等靜壓過程中,壓力在150MPa~200MPa,生坯密度提升至4.5g/cm3~4.9g/cm3;
(7)將冷等靜壓的生坯放入手套箱內(nèi)進(jìn)行剝膜處理,手套箱內(nèi)氧含量控制在500ppm以下,將剝膜后的生坯擺放到預(yù)先準(zhǔn)備的石墨盒中,所述的石墨盒具有上端開口的長方體容置腔,生坯擺放在長方體容置腔底部,單層排布,在生坯排布完成后,將一塊長方體狀的石墨壓板壓在一層生坯上,將一層生坯完全蓋住,所述的石墨壓板沿上下方向的厚度為1.5cm~2cm,所述的石墨壓板上設(shè)置有多個(gè)間隔分布且上下貫穿的通孔,接著在所述的石墨壓板的四個(gè)角落處分別放置一個(gè)重量為1Kg~1.5Kg的配重塊將所述的石墨壓板壓住,最后采用石墨盒蓋將石墨盒的上端開口蓋住后轉(zhuǎn)運(yùn)至真空燒結(jié)爐內(nèi),其中石墨盒蓋與配重塊不接觸;
(8)開啟真空燒結(jié)爐進(jìn)行燒結(jié),具體燒結(jié)過程為:先在5.0×10-2Pa~1.0×10-3Pa真空條件下升溫至950℃~1020℃,保溫4h~6h,然后自然冷卻至300℃~500℃,接著再升溫至1030℃~1100℃,保溫4h~8h,然后先自然冷卻到800℃以下,再風(fēng)冷至120℃以下,接著進(jìn)行二級(jí)時(shí)效處理后風(fēng)冷至60℃以下出爐,得到薄片燒結(jié)釹鐵硼磁體毛坯,二級(jí)時(shí)效處理時(shí),第一級(jí)時(shí)效處理溫度為880℃~920℃,時(shí)間為2h~3h,第二級(jí)時(shí)效處理溫度為480℃~540℃,時(shí)間為4h~5h。
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