[發(fā)明專利]多普勒超聲成像系統(tǒng)、控制方法及存儲(chǔ)介質(zhì)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310256364.5 | 申請(qǐng)日： | 2023-03-03 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN116236220A | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-06-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 龐旺生;張陽(yáng)輝;吉學(xué)偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳鯤為科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | A61B8/00 | 分類號(hào)： | A61B8/00;H01R31/06;H01B7/17;H04N7/18 |
| 代理公司： | 深圳市聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232 | 代理人： | 金云嵋 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市坪山區(qū)龍?zhí)锝值览?** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多普勒 超聲 成像 系統(tǒng) 控制 方法 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
1.一種多普勒超聲成像系統(tǒng)，其特征在于，包括：
上位機(jī)，所述上位機(jī)包括第一高速外設(shè)組件互連PCIe轉(zhuǎn)接板，所述PCIe轉(zhuǎn)接板包括第一PCIe接口；
多普勒超聲成像前端板，所述多普勒超聲成像前端板包括第二PCIe接口；
PCIe線纜，所述PCIe線纜的第一端與所述第一PCIe接口連接，所述PCIe線纜的第二端與所述第二PCIe接口連接，所述PCIe線纜用于在所述第一PCIe接口以及所述第二PCIe接口之間傳輸信號(hào)；所述PCIe線纜包括PCIe時(shí)鐘屏蔽線纜外殼、貼附于所述PCIe時(shí)鐘屏蔽線纜外殼內(nèi)壁設(shè)置的第一屏蔽層、設(shè)置于所述第一屏蔽層內(nèi)部的第二屏蔽層以及設(shè)置于所述第二屏蔽層內(nèi)部的時(shí)鐘信號(hào)線組，所述時(shí)鐘信號(hào)線組包括第一時(shí)鐘信號(hào)線以及第二時(shí)鐘信號(hào)線；所述第一時(shí)鐘信號(hào)線與所述第二時(shí)鐘信號(hào)線用于傳輸差分時(shí)鐘信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多普勒超聲成像系統(tǒng)，其特征在于，所述多普勒超聲成像系統(tǒng)還包括金屬機(jī)殼；
所述上位機(jī)包括第一信號(hào)地，所述第一信號(hào)地通過(guò)多個(gè)第一導(dǎo)電元件分別與所述金屬機(jī)殼連接；
所述多普勒超聲成像前端板包括第二信號(hào)地，所述第二信號(hào)地通過(guò)多個(gè)第二導(dǎo)電元件分別與所述金屬機(jī)殼連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多普勒超聲成像系統(tǒng)，其特征在于，所述多普勒超聲成像系統(tǒng)還包括：
阻塞靜電單元組，包括至少一個(gè)阻塞靜電單元，所述阻塞靜電單元的第一端與預(yù)設(shè)PCIe接口連接，所述阻塞靜電單元的第二端與所述PCIe線纜的第一端連接；所述阻塞靜電單元用于向靜電電流提供高阻抗；所述預(yù)設(shè)PCIe接口為所述第一PCIe接口或者所述第二PCIe接口；
旁路泄放單元組，包括至少一個(gè)旁路泄放單元，所述旁路泄放單元的第一端與所述阻塞靜電單元的第二端連接，所述旁路泄放單元的第二端接地；所述旁路泄放單元用于向靜電電流提供低阻抗；所述旁路泄放單元的阻抗小于所述阻塞靜電單元的阻抗。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多普勒超聲成像系統(tǒng)，其特征在于，所述阻塞靜電單元包括：
第一阻塞靜電模塊，所述第一阻塞靜電模塊的第一端與所述預(yù)設(shè)PCIe接口連接，所述第一阻塞靜電模塊的第二端與所述第一時(shí)鐘信號(hào)線的第一端連接；
第二阻塞靜電模塊，所述第二阻塞靜電模塊的第一端與所述預(yù)設(shè)PCIe接口連接，所述第二阻塞靜電模塊的第二端與所述第二時(shí)鐘信號(hào)線的第一端連接；
所述旁路泄放單元包括：
第一旁路泄放模塊，所述第一旁路泄放模塊的第一端與所述第一阻塞靜電模塊的第二端連接，所述第一旁路泄放模塊的第二端接地；
第二旁路泄放模塊，所述第二旁路泄放模塊的第一端與所述第二阻塞靜電模塊的第二端連接，所述第二旁路泄放模塊的第二端接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多普勒超聲成像系統(tǒng)，其特征在于，所述阻塞靜電單元組包括與所述第一PCIe接口連接的第一阻塞靜電單元，以及與所述第二PCIe接口連接的第二阻塞靜電單元；
所述旁路泄放單元組包括與所述第一阻塞靜電單元連接的第一旁路泄放單元，以及與所述第二阻塞靜電單元連接的第二旁路泄放單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多普勒超聲成像系統(tǒng)，其特征在于，所述阻塞靜電單元組中包括一個(gè)或者多個(gè)阻塞靜電單元，阻塞靜電單元的類型包括：共模電感、普通電感、磁珠、光隔離器、磁隔離器或者電阻；
所述旁路泄放單元組包括一個(gè)或者多個(gè)旁路泄放單元，且多個(gè)旁路泄放單元的類型相同，旁路泄放單元的類型包括：靜電防護(hù)器件、瞬態(tài)抑制二極管或者電容。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多普勒超聲成像系統(tǒng)，其特征在于，所述第一屏蔽層包括金屬編織網(wǎng)，或者所述第一屏蔽層包括金屬編織網(wǎng)和金屬箔的結(jié)合，所述第二屏蔽層包括金屬箔。
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