[發(fā)明專利]半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310214876.5
• 申請日: 2023-03-02
• 公開（公告）號: CN116154001A
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 薛興坤;李澤倫;徐漢東;劉曉陽;樸仁鎬;顧婷婷
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 張競存;張穎玲

1.一種半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底；

半導體層，包括：源極、溝道和漏極；其中，所述源極和所述漏極位于所述襯底中，所述溝道位于所述源極和所述漏極之間且位于所述襯底上；

源極接觸，位于所述襯底中且與所述源極連接；

漏極接觸，位于所述襯底中且與所述漏極連接；

其中，所述源極接觸與所述源極之間具有至少兩個接觸面；和/或，所述漏極接觸和所述漏極之間具有至少兩個接觸面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述源極接觸包括：第一子源極接觸和第二子源極接觸；其中，所述源極位于所述第一子源極接觸和所述第二子源極接觸之間；所述第一子源極接觸位于所述襯底和所述源極之間；

和/或，

所述漏極接觸包括：第一子漏極接觸和第二子漏極接觸；其中，所述漏極位于所述第一子漏極接觸和所述第二子漏極接觸之間；所述第一子漏極接觸位于所述襯底和所述漏極之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，

在所述源極接觸包括所述第一子源極接觸和所述第二子源極接觸時，所述源極還包括：

第一源極側(cè)壁；其中，所述第一子源極接觸覆蓋所述第一源極側(cè)壁；

第二源極側(cè)壁，與所述第一源極側(cè)壁相對設(shè)置；其中，所述第二子源極接觸覆蓋至少部分所述第二源極側(cè)壁；

在所述漏極接觸包括所述第一子漏極接觸和所述第二子漏極接觸時，所述漏極還包括：

第一漏極側(cè)壁，其中，所述第一子漏極接觸覆蓋所述第一漏極側(cè)壁；

第二漏極側(cè)壁，與所述第一漏極側(cè)壁相對設(shè)置；其中，所述第二子漏極接觸覆蓋至少部分所述第二漏極側(cè)壁。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述源極包括至少兩個子源極，所述源極接觸包括至少三個子源極接觸；其中，所述子源極位于相鄰的兩個所述子源極接觸之間；

和/或，

所述漏極包括至少兩個子漏極，所述漏極接觸包括至少三個子漏極接觸；其中，所述子漏極位于相鄰的兩個所述子漏極接觸之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導體層的材料包括：銦鎵鋅氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部位于所述襯底中；其中；所述源極和所述源極接觸位于所述第一凹槽中，所述漏極和所述漏極接觸位于所述第二凹槽中。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的截面形狀包括：矩形、倒梯形、T型或半圓形。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導體結(jié)構(gòu)還包括：

柵介質(zhì)層，位于所述溝道上；

柵極，位于所述柵介質(zhì)層上；

間隔層，位于所述半導體層上，且覆蓋所述柵介質(zhì)層的側(cè)壁和所述柵極的側(cè)壁。

9.一種半導體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

形成半導體層；其中，所述半導體層包括源極、溝道和漏極，所述源極和所述漏極位于所述襯底中，所述溝道位于所述源極和所述漏極之間且位于所述襯底上；

在所述襯底中形成源極接觸，所述源極接觸與所述源極連接；

在所述襯底中形成漏極接觸，所述漏極接觸與所述漏極連接；

其中，所述源極接觸與所述源極之間具有至少兩個接觸面；和/或，所述漏極接觸和所述漏極之間具有至少兩個接觸面。