[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202310212686.X
• 申請日: 2023-03-07
• 公開（公告）號: CN116435253A
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 鮑正恩;陳柏儒;廖志騰;林建宏;林琳婷
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體結構的形成方法，包括：

進行一介電層的一第一蝕刻以制造一第一凹槽與一第二凹槽，其中第一凹槽的一上部分借由一硬遮罩層與第二凹槽的一上部分物理性分開；

在硬遮罩層上形成一恢復層，其包括至少一化學形式C_xH_y的聚合物、包括錫(Sn)的一材料、或氟化鈦(TiF)和氰基(CN-)的組合；

進行介電層的一第二蝕刻以暴露第一凹槽內的一第一后端導電結構與第二凹槽內的一第二后端導電結構，其中在介電層的第二蝕刻期間，恢復層減少硬遮罩層的蝕刻；以及

在第一凹槽內形成一第一導電結構且在第二凹槽內形成一第二導電結構。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中進行介電層的第一蝕刻以制造第一凹槽與第二凹槽包括：

進行一光伏打制程以蝕刻介電層；以及

進行一等離子體灰化以去除硬遮罩層上方的一阻擋層。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，更包括：

蝕刻一低溫氧化物層以暴露阻擋層；以及

進行一雙重制程以暴露介電層上方的一層間介電層。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中進行介電層的第二蝕刻以暴露第一后端導電結構與第二后端導電結構包括：

進行一修整制程以暴露第一后端導電結構與第二后端導電結構上方的至少一蝕刻停止層；以及

進行一襯層去除制程以暴露第一后端導電結構與第二后端導電結構。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其中形成恢復層包括：

使用甲烷(CH₄)等離子體、氮氣(N₂)等離子體、氟仿(CHF₃)等離子體、或其組合來沉積恢復層。

6.一種半導體結構的形成方法，包括：

進行一介電層的一第一蝕刻以制造一第一凹槽與一第二凹槽；

在介電層上方的一硬遮罩層上形成一恢復層；

進行介電層的一第二蝕刻以暴露第一凹槽內的一第一下金屬與第二凹槽內的一第二下金屬，其中在介電層的第二蝕刻期間，減少硬遮罩層的蝕刻；以及

在第一凹槽內形成一第一上金屬與在第二凹槽內形成一第二上金屬。

7.一種半導體結構，包括：

一第一導孔，電性連接一第一后端導電結構到一前端；以及

一第二導孔，電性連接一第二后端導電結構到前端，

其中第一導孔與第二導孔具有不超過35納米的一節距，且第一導孔與第二導孔借由至少一硬遮罩層電性隔絕。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其中第一導孔與第二導孔各自具有一水滴狀。

9.如權利要求7所述的半導體結構，其中第一導孔或第二導孔的至少一者包括微量的一化學形式C_xH_y的聚合物、包括錫(Sn)的一材料、或氟化鈦(TiF)和氰基(CN-)的組合。

10.如權利要求7所述的半導體結構，其中第一后端導電結構與第二后端導電結構具有不超過50納米的一節距。