[發明專利]酰亞胺磺酸酯類光產酸劑、抗蝕劑組合物及其應用、電子組件

在審

• 申請號: 202310197773.2
• 申請日: 2023-03-03
• 公開（公告）號: CN116283945A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 龔艷;徐亮;黃巍;鄭祥飛
• 申請（專利權）人: 瑞紅（蘇州）電子化學品股份有限公司
• 主分類號: C07D409/04
• 分類號: C07D409/04;G03F7/004;G03F7/038;G03F7/039;C07D409/14
• 代理公司: 上海維卓專利代理有限公司 31409
• 代理人: 盛曉磊

本發明提供了一種酰亞胺磺酸酯光酸、抗蝕劑組合物及應用。該非離子光酸具有以下通式(1)、(2)所示結構結構。由于4H?茚并噻吩和R₃、R₄基團的引入，相對于現有的磺酸酯光酸如NIT等，本申請提供的光酸吸光系數增加，吸收波長紅移，在300?450nm具有更高的感光度和靈敏性、更好的熱穩定性和化學穩定性，且應用過程中與其它組分還具有較好的相容性。

技術領域

本發明屬于感光材料技術領域，具體涉及一種在300-450nm波長范圍內高產酸的酰亞胺磺酸酯類光產酸劑、含有該光產酸劑的抗蝕劑組合物及其應用。

背景技術

光產酸劑是化學增幅型光致抗蝕劑的關鍵組成之一，其結構和性能對光刻圖像有較大影響。非離子i線光產酸劑主要是磺酸酯類。其中，酰亞胺磺酸酯光產酸劑在半導體領域中用作光引發劑已被廣泛知悉，如公開號為JP6059953B2、JP6205285B2、JP5715892B2、CN107810179A、CN107250114A等專利文獻公開了不同的應用于半導體領域的酰亞胺磺酸酯類產品。這些技術中很少能將光敏感區涵蓋i-g線，或在i-g線的產酸率較低。隨著對高精細化圖案的要求，對于光產酸劑，須具有溶解性高、產酸率高、熱穩定性匹配和化學穩定性好等條件。

發明內容

本發明的目的在于提供一種感光度高，溶解性、熱穩定性和化學穩定性更具優勢的酰亞胺磺酸酯類光產酸劑，含有該光產酸劑的抗蝕劑組合物及其應用。

為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供一種酰亞胺磺酸酯類光產酸劑，具有如下通式(1)、(2)所示結構：

其中，

R₁表示C₁-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的烷基、C₃-C₂₀的環烷基、C₁-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的氟代烷基、C₃-C₂₀的氟代環烷基、C₆-C₁₈的取代或未取代的芳基、樟腦基、樟腦醌基或疊氮萘酮基團；

R₂與R₂’可相同，也可不同，各自獨立地選自下列基團：氫，鹵素，C₁-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的烷基，C₃-C₂₀的環烷基，C₂-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的鏈烯基，C₂-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的炔基，C₁-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的烷氧基，C₁-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的烷硫基，C₁-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的鹵代烷基，C₁-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的羥基取代烷基，C₂-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的羥基烷氧基取代烷基，被C₆-C₁₀的芳基或芳氧基取代的C₁-C₂₀烷基，被1個以上的-O-、-S-、-O-CO-或-CO-O-中斷的C₂-C₂₀的直鏈狀或支鏈狀的烷基或烷氧基，取代或未取代的C₆-C₁₀芳基，C₆-C₂₀的芳基硫基，含有N、O和/或S的C₂-C₂₀的雜環基團；或者R₂、R₂’彼此相連以形成環；