[發明專利]真空吸附裝置、真空吸附設備和硅片邊緣拋光設備

在審

• 申請號: 202310173306.6
• 申請日: 2023-02-28
• 公開（公告）號: CN116512119A
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 王強
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉材料科技股份有限公司;西安欣芯材料科技有限公司
• 主分類號: B24B41/06
• 分類號: B24B41/06;B24B41/00;B24B9/06;B24B29/02;H01L21/683
• 代理公司: 西安維英格知識產權代理事務所(普通合伙) 61253
• 代理人: 宋東陽;歸瑩

本公開涉及真空吸附裝置、真空吸附設備和硅片邊緣拋光設備，該真空吸附裝置包括用于通過吸附墊而與硅片接觸以對硅片進行吸附的吸附表面，該吸附表面包括：第一開口，其設置在吸附表面的中心處以用于在真空吸附時抽氣以及在真空釋放時噴水；真空吸附通道，其在吸附表面上設置成與第一開口連通，并且真空吸附通道包括靠近吸附表面的邊緣設置的部分；以及多個第二開口，第二開口設置在真空吸附通道的所述部分中以用于在真空吸附時抽氣以及在真空釋放時噴水。通過該真空吸附裝置、真空吸附設備和硅片邊緣拋光設備，可以使硅片受力更均勻，從而降低甚至避免硅片發生變形和損壞的風險。

技術領域

本公開涉及半導體加工制造技術領域，具體地，涉及真空吸附裝置以及包括該真空吸附裝置的真空吸附設備和硅片邊緣拋光設備。

背景技術

目前，在硅片邊緣拋光工藝中，通過真空吸附來固定硅片以便對硅片進行邊緣拋光。

通常，在真空吸附過程中，硅片會直接接觸設置在吸盤表面上的真空吸附通道以通過分布在真空吸附通道中的吸附力被吸附固定在吸盤上，而在真空釋放過程中，真空吸附通道中的真空會被釋放并且同時超純水（UPW）會從吸盤的中心向硅片噴出以使硅片從吸盤脫離。

然而，真空吸附通道相對于硅片表面分散不均勻，呈現中心部分相對集中，而邊緣部分相對分散的現象，使得在邊緣拋光過程中硅片中心受到的真空吸附力較大且集中，而越到邊緣則受到的真空吸附力越分散且越小，由此導致硅片在拋光過程中受力不均勻，并因而可能發生嚴重變形甚至損壞。另一方面，在真空釋放時，由于UPW噴出位置位于吸盤的正中心位置，即，UPW對硅片的作用力集中在硅片的正中心位置，存在中心先剝離而邊緣后剝離的情況，也會導致硅片受力不均勻，并因而存在發生碎片的可能性。

硅片破損則會導致需要對設備內部進行徹底清潔以及對相關部件例如吸附墊等進行更換，由此產生宕機，從而降低了設備的工作效率，而且頻繁更換耗材也增加了作業量及耗材消耗費用。

發明內容

本部分提供了本公開的總體概要，而不是對本公開的全部范圍或所有特征的全面公開。

本公開的目的在于提供一種能夠使硅片在拋光過程中受力更均勻的真空吸附裝置。

為了實現上述目的，根據本公開的一方面，提供了一種真空吸附裝置，包括用于通過吸附墊而與硅片接觸以對硅片進行吸附的吸附表面，吸附表面包括：

第一開口，其設置在吸附表面的中心處以用于在真空吸附時抽氣以及在真空釋放時噴水；

真空吸附通道，其在吸附表面上設置成與第一開口連通，并且真空吸附通道包括靠近吸附表面的邊緣設置的部分；以及

多個第二開口，第二開口設置在真空吸附通道的所述部分中以用于在真空吸附時抽氣以及在真空釋放時噴水。

在上述真空吸附裝置中，所述多個第二開口可以繞吸附表面的中心對稱布置。

在上述真空吸附裝置中，真空吸附通道可以包括從第一開口沿吸附表面的徑向方向延伸至吸附表面的邊緣的多個第一通道。

在上述真空吸附裝置中，真空吸附通道的所述部分可以為第一通道的靠近吸附表面的邊緣的部分。

在上述真空吸附裝置中，真空吸附通道還可以包括繞吸附表面的中心同心地且靠近吸附表面的邊緣布置的一個或更多個第二通道，其中，第二通道與第一通道連通。

在上述真空吸附裝置中，真空吸附通道還可以包括多個第三通道，所述多個第三通道關于吸附表面的中心呈放射狀延伸，并且設置成與所述一個或更多個第二通道相交并與所述多個第一通道交錯布置。

在上述真空吸附裝置中，真空吸附通道的所述部分可以為所述一個或更多個第二通道。

在上述真空吸附裝置中，第二開口設置在第二通道與第一通道的交點和/或第二通道與第三通道的交點處。