[發明專利]一種基于厚薄膜電路基板的lange電橋及其制備方法有效
| 申請號: | 202310086913.9 | 申請日: | 2023-02-09 |
| 公開(公告)號: | CN115881715B | 公開(公告)日: | 2023-05-30 |
| 發明(設計)人: | 王韌;雍政;胡小龍 | 申請(專利權)人: | 四川斯艾普電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/01 | 分類號: | H01L27/01;H01L21/70;H10N97/00;H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司: | 成都誠中致達專利代理有限公司 51280 | 代理人: | 吳飛 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 厚薄 路基 lange 電橋 及其 制備 方法 | ||
一種基于厚薄膜電路基板的lange電橋及其制備方法,lange電橋包括兩個金屬覆銅層和兩組分別與金屬覆銅層連接的電感、外部控制電路接口、電容,電感與金屬覆銅層連接,金屬覆銅層兩端設有第一端口、第二端口,外部控制電路接口與變容二極管控制電路連接;金屬覆銅層和變容二極管控制電路分布于多層厚薄膜電路中,相鄰兩層之間有陶瓷基板;電感、外部控制電路接口、電容位于頂層,下方自上而下依次布局的順序為金屬覆銅層、變容二極管控制電路、金屬覆銅層、變容二極管控制電路。制備方法包括:準備多塊陶瓷板;排布電路;在相鄰層之間設置陶瓷基板;燒結。將lange電橋采用多層線路板進行裝配,實現lange電橋的小型化和集成化。
技術領域
本發明涉及通信技術領域,尤其與一種基于厚薄膜電路基板的lange橋及其制備方法相關。
背景技術
定向耦合器作為一種微波無源器件,是雷達系統和無線通信系統的核心器件之一,隨著科技的快速發展與進步,現在對設備的集成化和小型化的要求越來越高,而這也就意味著定向耦合器也要集成化和小型化,現有的有效途徑是在同一介質基片上組裝多個器件,而由于現有的lange電橋基本都是單層結構,導致lange電橋的面積、體積都比較大,最終就會使得定向耦合器的電尺寸較大;現有的lange電橋還存在已下缺點:為了能夠增加線與線之間的電容,將幾條相互平行的線用與其垂直的金屬跳線相連接,但是隨著工作頻率的提升,尤其是在高頻階段,耦合器的性能將受到分布參數的影響而變差;傳統的平面朗格電橋主要采用金絲壓焊機壓焊金絲或通孔技術實現跳線跨接,導致加工難度大,加工成本高,所以有必要設計一種lange電橋。
發明內容
針對上述相關現有技術的不足,本申請提供一種基于厚薄膜電路基板的lange橋及其制備方法,將lange電橋采用多層線路板進行裝配,實現lange電橋的小型化和集成化。
為了實現上述目的,本發明采用以下技術:
一種基于厚薄膜電路基板的lange電橋,所述lange電橋包括兩個金屬覆銅層和兩組分別與金屬覆銅層相連接的電感、外部控制電路接口、電容,電感與金屬覆銅層連接,金屬覆銅層兩端分別設有第一端口、第二端口,外部控制電路接口一端與變容二極管控制電路連接;
金屬覆銅層和變容二極管控制電路分布于多層厚薄膜電路中,相鄰兩層之間設有陶瓷基板,相鄰兩層之間通過預埋于陶瓷基板中的過孔連接;電感、外部控制電路接口、電容均布局與最上一層,其下方沿自上而下依次布局的順序為金屬覆銅層、變容二極管控制電路、金屬覆銅層、變容二極管控制電路。
進一步地,最上一層即電路接地層,用于上導體金屬殼接地,并且在金屬覆銅層與電路接地層之間通過陶瓷基板隔開。
進一步地,在下一層變容二極管控制電路下方還設有一層金屬接地層,并且在變容二極管控制電路與金屬接地層之間設有陶瓷基板。
進一步地,所述lange電橋的工作頻段可以動態調整,通過改變外部控制電路接口的電壓進而調節電容的電容值即可實現。
進一步地,兩個金屬覆銅層之間的陶瓷基板的厚度有多個規格,厚度不同,則兩個金屬覆銅層之間的耦合度不同。
一種基于厚薄膜電路基板的lange電橋的制備方法,所述lange電橋包括金屬覆銅層、電感、外部控制電路接口、電容、電路接地層、金屬接地層,包括步驟:
準備四塊陶瓷板,每兩個陶瓷板表面分別布置金屬覆銅層31和變容二極管控制電路;
準備一塊陶瓷板,在其表面布置兩組電感、外部控制電路接口、電容,并將該層設置為電路接地層;
從上之下依次布置電路接地層、金屬覆銅層、變容二極管控制電路、金屬覆銅層、變容二極管控制電路和金屬接地層,并在相鄰兩層之間布置陶瓷基板,并在陶瓷基板上加工出金屬過孔,相鄰兩層之間通過金屬過孔連接;
將陶瓷板和陶瓷基板燒結在一起。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





