[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310085480.5
• 申請日: 2023-02-01
• 公開（公告）號: CN116344544A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾健庭;蕭錦濤;方上維;林俊言;黃圣豐;鄭儀侃;魯立忠
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234;H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

半導(dǎo)體器件包括位于第一行中的第一單元，其中，第一行在第一方向上延伸，第一單元具有在垂直于第一方向的第二方向上測量的第一單元高度。半導(dǎo)體器件還包括位于第一行中的第二單元，其中，第二單元具有在第二方向上測量的第二單元高度，第二單元高度小于第一單元高度。第二單元包括具有在第二方向上測量的第一寬度的第一有源區(qū)域以及具有在第二方向上測量的第二寬度的第二有源區(qū)域，其中，第二寬度與第一寬度不同。本申請的實施例還涉及制造半導(dǎo)體器件的方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請的實施例涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體尺寸不斷減小，在與摩爾定律保持同步方面出現(xiàn)了挑戰(zhàn)。為了幫助半導(dǎo)體器件持續(xù)減小尺寸，在一些情況下，利用了半導(dǎo)體器件內(nèi)的組件的三維(3D)集成。一些3D集成技術(shù)包括使用背側(cè)互連結(jié)構(gòu)。除了3D集成技術(shù)之外，基于極紫外(EUV)的光刻技術(shù)用于圖案化半導(dǎo)體器件的更小且更密集的封裝元件。

發(fā)明內(nèi)容

本申請的一些實施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一單元，位于第一行中，其中，所述第一行在第一方向上延伸，所述第一單元具有在垂直于所述第一方向的第二方向上測量的第一單元高度；以及第二單元，位于所述第一行中，其中，所述第二單元具有在所述第二方向上測量的第二單元高度，所述第二單元高度小于所述第一單元高度，并且所述第二單元包括：第一有源區(qū)域，具有在所述第二方向上測量的第一寬度，以及第二有源區(qū)域，具有在所述第二方向上測量的第二寬度，其中，所述第二寬度與所述第一寬度不同。

本申請的另一些實施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一單元，位于第一行中，其中，所述第一行在第一方向上延伸，所述第一單元具有在垂直于所述第一方向的第二方向上測量的第一單元高度，并且所述第一單元包括在所述第二方向上具有第一寬度的第一有源區(qū)域；第二單元，位于所述第一行中，其中，所述第二單元具有在第二方向上測量的第二單元高度，所述第二單元高度小于所述第一單元高度，并且所述第二單元包括：第二有源區(qū)域，具有所述第一寬度，以及第三有源區(qū)域，具有在所述第二方向上測量的第二寬度，其中，所述第二寬度與所述第一寬度不同；以及第三單元，位于第二行中，其中，所述第三單元包括具有所述第二寬度的第四有源區(qū)域，并且所述第三單元直接鄰接所述第一單元。

本申請的又一些實施例提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底上方制造晶體管的有源區(qū)域；在所述有源區(qū)域的所述材料內(nèi)創(chuàng)建用于源極/漏極區(qū)域(S/D區(qū)域)的開口，其中，所述開口暴露所述襯底；在用于所述源極/漏極區(qū)域的所述開口內(nèi)制造底部隔離結(jié)構(gòu)；在所述開口內(nèi)的所述底部隔離結(jié)構(gòu)上方制造所述源極/漏極區(qū)域；制造延伸至與所述源極/漏極區(qū)域橫向間隔開的溝槽隔離結(jié)構(gòu)中的接觸開口；在所述接觸開口內(nèi)沉積接觸材料；以及暴露所述接觸件的遠離所述源極/漏極區(qū)域的端部。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發(fā)明的各個方面。應(yīng)該指出，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體器件的頂視圖。

圖2是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖3是根據(jù)一些實施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖。

圖4A是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體器件的頂視圖。

圖4B至圖4N是根據(jù)一些實施例的處于制造的各個階段的沿圖4A中的半導(dǎo)體器件的不同截面截取的半導(dǎo)體器件的截面圖。

圖5是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體器件布局的視圖。

圖6是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體器件布局的視圖。

圖7是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體器件布局的視圖。

圖8是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體器件的立體圖。

圖9是根據(jù)一些實施例的半導(dǎo)體器件的立體圖。