[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202310085480.5
• 申請日: 2023-02-01
• 公開（公告）號: CN116344544A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 曾健庭;蕭錦濤;方上維;林俊言;黃圣豐;鄭儀侃;魯立忠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L21/8234;H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導體器件，包括：

第一單元，位于第一行中，其中，所述第一行在第一方向上延伸，所述第一單元具有在垂直于所述第一方向的第二方向上測量的第一單元高度；以及

第二單元，位于所述第一行中，其中，所述第二單元具有在所述第二方向上測量的第二單元高度，所述第二單元高度小于所述第一單元高度，并且所述第二單元包括：

第一有源區域，具有在所述第二方向上測量的第一寬度，以及

第二有源區域，具有在所述第二方向上測量的第二寬度，其中，所述第二寬度與所述第一寬度不同。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一單元直接鄰接所述第二單元。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一單元包括具有所述第一寬度的第三有源區域。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第三有源區域與所述第一有源區域對準。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第三有源區域的邊緣與所述第二有源區域的邊緣對準。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二有源區域比所述第一有源區域離所述第一單元更遠。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一單元高度是所述第二單元高度的兩倍。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：源極/漏極(S/D)區域，電連接至所述第一有源區域。

9.一種半導體器件，包括：

第一單元，位于第一行中，其中，所述第一行在第一方向上延伸，所述第一單元具有在垂直于所述第一方向的第二方向上測量的第一單元高度，并且所述第一單元包括在所述第二方向上具有第一寬度的第一有源區域；

第二單元，位于所述第一行中，其中，所述第二單元具有在第二方向上測量的第二單元高度，所述第二單元高度小于所述第一單元高度，并且所述第二單元包括：

第二有源區域，具有所述第一寬度，以及

第三有源區域，具有在所述第二方向上測量的第二寬度，其中，所述第二寬度與所述第一寬度不同；以及

第三單元，位于第二行中，其中，所述第三單元包括具有所述第二寬度的第四有源區域，并且所述第三單元直接鄰接所述第一單元。

10.一種制造半導體器件的方法，包括：

在襯底上方制造晶體管的有源區；

在所述有源區的所述材料內創建用于源極/漏極區域(S/D區域)的開口，其中，所述開口暴露所述襯底；

在用于所述源極/漏極區域的所述開口內制造底部隔離結構；

在所述開口內的所述底部隔離結構上方制造所述源極/漏極區域；

制造延伸至與所述源極/漏極區域橫向間隔開的溝槽隔離結構中的接觸開口；

在所述接觸開口內沉積接觸材料；以及

暴露所述接觸件的遠離所述源極/漏極區域的端部。