[發明專利]輻射場調控系統的漏束降低方法及應用該方法的調控系統有效
| 申請號: | 202310065603.9 | 申請日: | 2023-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN116271568B | 公開(公告)日: | 2023-09-15 |
| 發明(設計)人: | 請求不公布姓名 | 申請(專利權)人: | 中子高新技術產業發展(重慶)有限公司 |
| 主分類號: | A61N5/10 | 分類號: | A61N5/10;G01T1/02;G21F1/12 |
| 代理公司: | 北京瀚仁知識產權代理事務所(普通合伙) 11482 | 代理人: | 宋寶庫 |
| 地址: | 401331 重慶市沙坪壩區*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輻射 調控 系統 降低 方法 應用 | ||
本發明涉及輻射場調控技術領域,具體提供一種輻射場調控系統的漏束降低方法及應用該方法的調控系統,旨在解決現有技術中輻射場應用場景中出束口處的輻射量存在檢測盲區與控制盲區的技術問題。為此目的,本發明的輻射場調控系統的漏束降低方法包括控制中心、出束口、中子屏蔽件、伽馬屏蔽件、中子探測器、伽馬探測器,由控制中心對中子屏蔽件和伽馬屏蔽件進行移動控制,中子探測器和伽馬探測器對出束口進行實時檢測和反饋,能夠在降低設備體積的情況下實現出束口處的漏束屏蔽,消除出束口處輻射量的檢測盲區和控制盲區,提高輻射場應用的安全性。
技術領域
本發明涉及輻射場調控技術領域,具體提供一種輻射場調控系統的漏束降低方法及應用該方法的調控系統。
背景技術
隨著人們對于微觀世界的研究逐漸深入,將輻射場應用到現代社會中的場合逐漸增多,諸如輻射育種、輻射治療等技術領域,但是就目前的輻射場應用中還存在諸多問題需要解決完善,其中針對輻射場中的輻射量目前的控制手段還比較簡單粗暴,尤其針對中子束流和伽馬輻射,現有技術還存在很大短板。
現有技術中,針對中子束流的漏束問題,往往是采用在中子調控系統中加入中子反射截面大的材料和中子吸收截面大的材料以此來降低漏束,但是這種降低漏束的效果并不理想,另外還會造成調控系統體積增大,建設過程中極大增加了成本;而針對伽馬輻射,常規方式僅通過治療室屏蔽墻以及屏蔽門對伽馬射線進行屏蔽,對出束口周圍沒有額外的屏蔽措施,這也在一定程度上造成危害。
除此之外,現有技術中除了缺乏有效的控制屏蔽手段,針對運行過程中也缺乏監測手段,現有技術中的固定式中子、伽馬劑量當量率儀體積過大,應用場景受限,很難檢測到使用過程中的出束口情況,導致輻射場應用過程中往往存在一定檢測盲區,致使輻射場應用的輻射效果較差,甚至會造成輻射安全事故風險。
相應地,本領域需要一種新的輻射場檢測方法及裝置來解決上述問題。
發明內容
本發明旨在解決上述技術問題,即解決現有技術中輻射場應用場景中出束口處的輻射量存在檢測盲區與控制盲區的技術問題。為此目的,本發明提供了一種輻射場調控系統的漏束降低方法,所述輻射場調控系統包括出束口,所述輻射場調控系統還包括可移動地設置在所述出束口側面的中子屏蔽件和伽馬屏蔽件,所述中子屏蔽件上設置有中子探測器,所述伽馬屏蔽件上設置有伽馬探測器,
所述漏束降低方法包括:
S100:使輻射源進入出束準備階段,并控制所述中子屏蔽件移動至所述出束口處;
S200:控制所述中子探測器檢測所述出束口附近的中子劑量,判斷中子束流是否穩定,如果中子束流穩定則繼續運行至結束,最終停束;如果中子束流不穩定,則立即停束;
S300:在中子束流停束后控制所述中子屏蔽件打開的同時控制所述伽馬屏蔽件移動至所述出束口處;
S400:控制所述伽馬探測器對所述出束口的伽馬射線進行檢測,如果伽馬射線達到安全閾值,則控制所述伽馬屏蔽件打開,如果伽馬射線沒有達到安全閾值,則控制所述伽馬屏蔽件繼續屏蔽遮擋。
在上述具有輻射場調控系統的漏束降低方法的具體實施方式中,所述中子屏蔽件為分體式結構并且包括至少兩個中子屏蔽單元件,若干個所述中子屏蔽單元件圍成出束通道,所述中子屏蔽單元件的拼接端設置有固定件,
所述步驟S100具體包括:
使輻射源進入出束準備階段,控制若干個所述中子屏蔽單元件向所述出束口中心靠攏并拼接成所述出束通道,相鄰的所述中子屏蔽單元件通過所述固定件彼此接合。
在上述具有輻射場調控系統的漏束降低方法的具體實施方式中,所述伽馬屏蔽件為分體式結構并且包括至少兩個伽馬屏蔽單元件,若干個所述伽馬屏蔽單元件拼接形成板體并遮擋住所述出束口,所述伽馬屏蔽單元件的拼接端設置有固定件,
所述步驟300具體包括:
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