[發明專利]一種疊層固態摻雜源結構及p型TOPCon太陽能電池的制備方法

在審

• 申請號: 202310059062.9
• 申請日: 2023-01-18
• 公開（公告）號: CN116207170A
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 曾俞衡;葉繼春;杜浩江;劉偉;廖明墩;楊陣海
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01L31/0288
• 分類號: H01L31/0288;H01L31/20;H01L31/04
• 代理公司: 寧波甬致專利代理有限公司 33228
• 代理人: 胡天人

1.一種疊層固態摻雜源結構，其特征在于，包括層疊設在的磷摻雜源非晶硅層磷摻雜源非晶硅層、正面介質層、晶硅襯底、背面介質層和硼摻雜源非晶硅層。

2.根據權利要求1所述的疊層固態摻雜源結構，其特征在于，所述磷摻雜源非晶硅層的摻雜原子除了磷之外，還包括碳、氮、氧中的一種或多種，摻雜濃度為1E17-1E22?cm^-3。

3.根據權利要求1所述的疊層固態摻雜源結構，其特征在于，所述硼摻雜源非晶硅層的摻雜原子除了硼之外，還包括碳、氮、氧中的一種或多種，摻雜濃度為1E17-1E22?cm^-3。

4.根據權利要求1所述的疊層固態摻雜源結構，其特征在于，所述磷摻雜源非晶硅層的磷摻雜濃度為1E19-1E21cm^-3，所述硼摻雜源非晶硅層的硼摻雜濃度為1E17-5E20cm^-3。

5.根據權利要求1所述的疊層固態摻雜源結構，其特征在于，所述正面介質層選自氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜中的任意一種，所述背面介質層選自氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜中的任意一種。

6.根據權利要求1-5任一所述的疊層固態摻雜源結構，其特征在于，所述磷摻雜源非晶硅層的厚度為2-200nm，所述正面介質層的厚度為1-5nm，所述背面介質層的厚度為1-5nm，所述硼摻雜源非晶硅層的厚度為20-200nm。

7.一種p型TOPCon太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、在晶硅襯底的正面制備一層正面介質層；

S2、在正面介質層上沉積一層磷摻雜源非晶硅層作為磷源；

S3、在晶硅襯底的背面制備一層背面介質層；

S4、在背面介質層上沉積一層硼摻雜源非晶硅層作為硼源；

S5、進行一步高溫退火處理，使晶硅襯底的正面磷擴散形成發射極以及背面的非晶硅晶化；

S6、刻蝕掉晶硅襯底正面的磷摻雜源非晶硅層和正面介質層；

S7、在正面和/或背面沉積鈍化層和減反層；

S8、進行正面和背面金屬化處理，制得p型TOPCon太陽能電池。

8.根據權利要求7所述的p型TOPCon太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S2和步驟S4中，用CVD或PVD法沉積磷摻雜源非晶硅層和硼摻雜源非晶硅層。

9.根據權利要求7所述的p型TOPCon太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S4中，高溫退火處理溫度為750-1000℃。

10.根據權利要求7所述的p型TOPCon太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟S1和步驟S3中，正面介質層和背面介質層的制備方法選自以下任意一種：PECVD、LPCVD、濕化學法、高溫氧化法、等離子體輔助氧化法、等離子體輔助原子層沉積法。