[發明專利]干法刻蝕制作正梯形膠形的工藝在審

申請號：	202310056716.2	申請日：	2023-01-16
公開（公告）號：	CN116130355A	公開（公告）日：	2023-05-16
發明（設計）人：	陳銀培;劉耀菊;寧珈祺;吳超;楊巨椽	申請（專利權）人：	杭州美迪凱微電子有限公司
主分類號：	H01L21/311	分類號：	H01L21/311;H01L21/027
代理公司：	杭州華知專利事務所(普通合伙) 33235	代理人：	張德寶
地址：	310000 浙江省杭州市錢塘***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	刻蝕制作梯形工藝
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【說明書】：

本發明公開了一種干法刻蝕制作正梯形膠形的工藝，其工藝步驟為：S1、取出基板，在基板上涂覆一層非光敏底層膠達到設定的目標厚度；S2、在非光敏底層膠上層再涂覆一層光刻膠，光刻膠的厚度大于非光敏底層膠；S3、兩層膠涂覆完畢后采用曝光顯影堅膜的方式把上層的光刻膠做成具有正梯形或者倒梯形槽口的膠形，并裸露出需要去除的非光敏底層膠；S4、采用干法刻蝕的工藝對上層的光刻膠膠和裸露出來的非光敏底層膠一起進行干刻；S5、干刻后，通過去膠液將非光敏底層膠上層殘留的光刻膠去除，最終得到正梯形或者倒梯形膠形的產品，完成干法刻蝕制作正梯形膠形的工藝。本發明實現了膠形為正梯形或者倒梯形且斜面角度小于等于45°的圖形化加工。

技術領域

本發明涉及半導體干法刻蝕工藝領域，尤其涉及一種干法刻蝕制作正梯形膠形的工藝。

背景技術

目前半導體行業在快速發展，市場對于半導體器件的需求也越來越大，半導體的形式也越來越多樣化。其中一部分部件就涉及到在硅基板上涂覆非光敏膠的半導體器件。其要求在半導體器件上涂覆非光敏膠的膠形為正梯形且斜面角度要求為45°，而一般的黃光工藝無法加工非光敏膠的膠形，而單獨使用干法刻蝕的工藝雖然能夠進行圖形化加工但是干刻后的膠形一般為長方形或者斜面角度接近90°。為了解決該問題本申請發明了一種干法刻蝕結合黃光工藝的方法在進行非光敏膠圖形化加工的同時還能使膠的膠形為正梯形。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明設計了一種干法刻蝕制作正梯形膠形的工藝，使最終形成的膠形為正梯形或者倒梯形且斜面角度實現小于等于45°。

本發明采用如下技術方案：

一種干法刻蝕制作正梯形膠形的工藝，其工藝步驟為：

S1、取出基板，在基板上涂覆一層非光敏底層膠達到設定的目標厚度；

S2、在非光敏底層膠上層再涂覆一層光刻膠，光刻膠的厚度大于非光敏底層膠；

S3、兩層膠涂覆完畢后采用曝光顯影堅膜的方式把上層的光刻膠做成具有正梯形或者倒梯形槽口的膠形，并裸露出需要去除的非光敏底層膠；

S4、采用干法刻蝕的工藝對上層的光刻膠膠和裸露出來的非光敏底層膠一起進行干刻；

S5、干刻后，通過去膠液將非光敏底層膠上層殘留的光刻膠去除，最終得到正梯形或者倒梯形膠形的產品，完成干法刻蝕制作正梯形膠形的工藝。

作為優選，步驟S4中，調整干法刻蝕的參數，使上層干刻膠的干刻速率與非光敏底層膠的干刻速率一致。

作為優選，所述正梯形或者倒梯形槽口的斜面角度小于等于45°。

作為優選，所述非光敏底層膠通過旋涂的方式均勻涂覆在基板上。