[發(fā)明專利]一種高壓浮置柵驅(qū)動電路及其驅(qū)動芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310050941.5 | 申請日： | 2023-02-02 |
| 公開（公告）號： | CN116131828A | 公開（公告）日： | 2023-05-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王春華 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京沁恒微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K7/08 | 分類號： | H03K7/08;H03K19/0175;H03K3/356 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 210012 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高壓 浮置柵 驅(qū)動 電路 及其 芯片 | ||
1.一種高壓浮置柵驅(qū)動電路，其特征在于，包括依次連接的PWM控制信號輸入端、反相器組、電平移位電路及柵極驅(qū)動電路，所述反相器組用于將輸入的PWM控制信號轉(zhuǎn)化為一組互補信號，所述電平移位電路包括第一NMOS管NM0、第二NMOS管NM1、第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1、第三PMOS管PM2及第四PMOS管PM3；第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1的源極均連接浮動高壓電源VB，所述浮動高壓電源VB至少為10V，柵極分別連接第四PMOS管PM3、第三PMOS管PM2的源極，漏極分別連接第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3的源極或漏極；第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3的柵極均連接浮動地VS，漏極分別連接第一NMOS管NM0、第二NMOS管NM1的漏極，第三PMOS管PM2或第四PMOS管PM3的源極連接柵極驅(qū)動電路輸入端，柵極驅(qū)動電路輸出驅(qū)動信號；第一NMOS管NM0、第二NMOS管NM1的源極均連接公共地GND，柵極分別輸入所述互補信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓浮置柵驅(qū)動電路，其特征在于，所述柵極驅(qū)動電路的輸出極性與輸入極性相反。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓浮置柵驅(qū)動電路，其特征在于，還包括第一二極管D0、第二二極管D1，所述第一二極管D0、第二二極管D1的正極分別連接浮動地，所述第一二極管D0、第二二極管D1的負極分別連接第二PMOS管PM1、第一PMOS管PM0的柵極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓浮置柵驅(qū)動電路，其特征在于，還包括電阻R0，所述電阻R0一端連接第三PMOS管PM2和第四PMOS管PM3的柵極，另一端連接浮動地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓浮置柵驅(qū)動電路，其特征在于，所述第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3的N阱與源極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓浮置柵驅(qū)動電路，其特征在于，所述柵極驅(qū)動電路的輸入端采用施密特觸發(fā)器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓浮置柵驅(qū)動電路，其特征在于，所述反相器組包含第一反相器、第二反相器，PWM控制信號輸入端連接第一反相器輸入端，第一反相器輸出端連接第二反相器輸入端，第一反相器的輸出端信號與第二反相器的輸出端信號構(gòu)成所述互補信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓浮置柵驅(qū)動電路，其特征在于，第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1的漏極分別連接第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3的源極；所述第一NMOS管NM0、第二NMOS管NM1、第三PMOS管PM2及第四PMOS管PM3均為高壓管，所述高壓管的漏極額定耐壓高于所述浮動高壓電源VB的電壓，且漏極額定耐壓大于柵極額定耐壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓浮置柵驅(qū)動電路，其特征在于，第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1的漏極分別連接第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3的漏極；所述第一NMOS管NM0、第二NMOS管NM1、第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1、第三PMOS管PM2及第四PMOS管PM3均為高壓管，所述高壓管的漏極額定耐壓高于所述浮動高壓電源VB的電壓，且漏極額定耐壓大于柵極額定耐壓。
10.一種高壓浮置柵驅(qū)動芯片，其特征在于，集成如權(quán)利要求1-9任一所述的高壓浮置柵驅(qū)動電路。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于南京沁恒微電子股份有限公司，未經(jīng)南京沁恒微電子股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310050941.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
