[發(fā)明專利]一種聚二甲基硅氧烷柱陣列的恢復(fù)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310034410.7 | 申請(qǐng)日: | 2023-01-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115926226A | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 田新春;馬壯;高麗紅;柳彥博;劉玲;王東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C08J7/02 | 分類號(hào): | C08J7/02;C08L83/04 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人: | 王立普 |
| 地址: | 100081 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 聚二甲基硅氧烷 陣列 恢復(fù) 方法 | ||
1.一種聚二甲基硅氧烷柱陣列的恢復(fù)方法,其特征在于,包括以下步驟:
將倒塌的聚二甲基硅氧烷柱陣列浸沒于有機(jī)溶劑中進(jìn)行溶脹處理,得到溶脹聚二甲基硅氧烷柱陣列;所述有機(jī)溶劑對(duì)聚二甲基硅氧烷的溶脹率≥1.20,所述溶脹率為線溶脹率、面積溶脹率或體積溶脹率;
將所述溶脹聚二甲基硅氧烷柱陣列從所述有機(jī)溶劑中取出后進(jìn)行干燥,得到恢復(fù)的聚二甲基硅氧烷柱陣列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恢復(fù)方法,其特征在于,所述聚二甲基硅氧烷柱陣列中聚二甲基硅氧烷柱的直徑為10nm~1mm,長(zhǎng)徑比為1~30,柱間距為1nm~1mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恢復(fù)方法,其特征在于,所述溶脹率為1.20~2.50。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的恢復(fù)方法,其特征在于,所述有機(jī)溶劑包括苯、甲苯、二甲苯、氯苯、庚烷、己烷、戊烷、環(huán)己烷、二氯甲烷、二甲氧基乙烷、三氯甲烷、2-庚酮、2-丁酮、叔丁醇、乙酸丁酯、乙二醇二甲醚、乙醚、三氯乙烯、四氫呋喃、三乙胺和二異丙胺中的一種或幾種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恢復(fù)方法,其特征在于,所述溶脹處理在室溫下進(jìn)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的恢復(fù)方法,其特征在于,所述溶脹處理的時(shí)間為5min以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、5或6所述的恢復(fù)方法,其特征在于,所述溶脹處理在密閉容器內(nèi)進(jìn)行。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的恢復(fù)方法,其特征在于,所述干燥的溫度為室溫~200℃,時(shí)間≥5min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京理工大學(xué),未經(jīng)北京理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202310034410.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





