[發明專利]一種Diode-IFSM-Tj測試治具

有效

• 申請號: 202310031376.8
• 申請日: 2023-01-10
• 公開（公告）號: CN115754650B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 楊承先
• 申請（專利權）人: 邁思普電子股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 廣東莞信律師事務所 44332
• 代理人: 方小明

1.一種Diode-IFSM-Tj測試治具，其特征在于：包括電源模塊、脈沖發生模塊、可調直流電源BAT1、電容模組、開關控制模塊、驅動模塊、晶體管模組以及開關管Q2；

所述電源模塊用于給脈沖發生模塊、開關控制模塊、驅動模塊、晶體管模組以及開關管Q2供電；所述可調直流電源BAT1用于給電容模組充電；

所述脈沖發生模塊的輸出端分別與驅動模塊的輸入端以及開關控制模塊的輸入端連接；所述開關控制模塊的輸出端以及驅動模塊的輸出端分別與開關管Q2的控制端連接；所述開關管Q2的開關端與晶體管模組的控制端連接；所述電容模組的一端通過晶體管模組的開關端與待測二極管的一端連接；所述電容模組的另一端與待測二極管的另一端連接；

所述驅動模塊的輸出端連接有電容C1、電容C2以及電容C3；所述電容C1、電容C2以及電容C3相互并聯；

所述Diode-IFSM-Tj測試治具還包括第一電壓測量口以及第二電壓測量口；所述第一電壓測量口以及第二電壓測量口分別設于待測二極管的兩端。

2.根據權利要求1所述的一種Diode-IFSM-Tj測試治具，其特征在于：所述電源模塊包括隔離變壓器T1、整流橋DA1、降壓芯片U3以及降壓芯片U4；所述隔離變壓器T1的原邊接交流電；所述隔離變壓器T1的副邊與整流橋DA1的輸入端連接；所述整流橋DA1的輸出端分別與降壓芯片U3的輸入端以及降壓芯片U4的輸入端連接。

3.根據權利要求1所述的一種Diode-IFSM-Tj測試治具，其特征在于：所述脈沖發生模塊包括脈沖發生芯片U1、可調電阻VR2、電容CR4、開關SWF1、電容CR5、開關SWF2、電容CR6以及開關SWF3；

所述脈沖發生芯片U1的第八接口與電源模塊的輸出端連接；所述脈沖發生芯片U1的第六接口通過可調電阻VR2與電源模塊的輸出端連接；所述脈沖發生芯片U1的第六接口通過電容CR4與開關SWF1接地；所述脈沖發生芯片U1的第六接口通過電容CR5與開關SWF2接地；所述脈沖發生芯片U1的第六接口通過電容CR6與開關SWF3接地；

所述脈沖發生芯片U1的第三接口分別與開關控制模塊以及驅動模塊連接；所述脈沖發生芯片U1的型號為NE555。

4.根據權利要求1所述的一種Diode-IFSM-Tj測試治具，其特征在于：所述驅動模塊包括運放芯片U2、電阻R1、電阻R2、MOS管Q3、電阻R3、電阻R4、電阻R5、可調電阻VR1以及電阻R9；

所述運放芯片U2的第三接口與可調電阻VR1的調節端連接；所述可調電阻VR1一端接地；所述可調電阻VR1的另一端與MOS管Q3的源極連接；所述MOS管Q3的源極通過電阻R4以及電阻R5接地；所述MOS管Q3的漏極通過電阻R3與電源模塊的輸出端連接；所述MOS管Q3的柵極通過電阻R2以及電阻R1接地；所述電阻R1與脈沖發生模塊的輸出端連接；所述運放芯片U2的第六接口通過電阻R9與開關管Q2的基極連接；

所述運放芯片U2的型號為0P27。

5.根據權利要求1所述的一種Diode-IFSM-Tj測試治具，其特征在于：所述開關控制模塊包括MOS管Q4以及MOS管Q1；所述MOS管Q4的柵極與脈沖發生模塊的輸出端連接；所述MOS管Q4的源極接地；所述MOS管Q4的漏極與MOS管Q1的柵極連接；所述MOS管Q1的源極接地；所述MOS管Q4的漏極與開關管Q2的基極連接。