[發(fā)明專利]一種二維環(huán)形光斑的質(zhì)量檢測(cè)方法、裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310011310.2
• 申請(qǐng)日: 2023-01-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116086774A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 匡翠方;關(guān)鍵;朱大釗;賈天浩;徐良;李海峰;劉旭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 之江實(shí)驗(yàn)室;浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): G01M11/02
• 分類號(hào): G01M11/02
• 代理公司: 杭州華進(jìn)聯(lián)浙知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33250
• 代理人: 亓一舟

本申請(qǐng)涉及一種二維環(huán)形光斑的質(zhì)量檢測(cè)方法、裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，該二維環(huán)形光斑的質(zhì)量檢測(cè)方法包括：獲取待檢測(cè)的二維環(huán)形光斑的光強(qiáng)信息；根據(jù)光強(qiáng)信息確定二維環(huán)形光斑在檢測(cè)線上的光強(qiáng)變化趨勢(shì)，檢測(cè)線包括自二維環(huán)形光斑的圓心向一側(cè)延伸的射線；根據(jù)光強(qiáng)變化趨勢(shì)確定二維環(huán)形光斑的質(zhì)量。通過(guò)本申請(qǐng)，首先獲取待檢測(cè)的二維環(huán)形光斑的光強(qiáng)信息，然后確定二維環(huán)形光斑在至少一條檢測(cè)線上的光強(qiáng)變化趨勢(shì)。二維環(huán)形光斑內(nèi)側(cè)的光強(qiáng)降低速率越快，則其質(zhì)量越好，也就越適合作為抑制光。解決了相關(guān)技術(shù)中存在無(wú)法有效地篩選出刻寫(xiě)效果好的二維環(huán)形光斑的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及超精密刻寫(xiě)領(lǐng)域，特別是涉及一種二維環(huán)形光斑的質(zhì)量檢測(cè)方法、裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

雙光子激光直寫(xiě)技術(shù)是目前實(shí)現(xiàn)微納尺度3D打印最有效的一種技術(shù)，在航空航天、微電子器件、量子芯片、硅光芯片、微光學(xué)、力學(xué)超材料、再生醫(yī)學(xué)工程等領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。為了提高刻寫(xiě)精度，科研人員提出了邊緣光抑制(PPI)技術(shù)。該技術(shù)使用兩個(gè)光束，分別稱為激發(fā)光和抑制光，其中激發(fā)光用于刻寫(xiě)，抑制光用于抑制結(jié)構(gòu)邊緣的聚合過(guò)程。通過(guò)兩束光的共同作用，從而可以達(dá)到小于50nm的刻寫(xiě)特征尺寸。

基于PPI技術(shù)的原理，對(duì)激發(fā)光疊加抑制光可以進(jìn)一步縮小刻寫(xiě)線寬。但在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，抑制光在減小線寬的同時(shí)也會(huì)對(duì)刻寫(xiě)結(jié)構(gòu)的效果產(chǎn)生影響。通常抑制光為二維環(huán)形光斑，由于不同的二維環(huán)形光斑會(huì)對(duì)刻寫(xiě)結(jié)構(gòu)產(chǎn)生不同的影響，因此需要對(duì)二維環(huán)形光斑進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，確定出刻寫(xiě)效果好的二維環(huán)形光斑。但是現(xiàn)有技術(shù)中還缺乏二維環(huán)形光斑的質(zhì)量檢測(cè)方法，因此無(wú)法有效地篩選出刻寫(xiě)效果好的二維環(huán)形光斑。

針對(duì)相關(guān)技術(shù)中存在無(wú)法有效地篩選出刻寫(xiě)效果好的二維環(huán)形光斑的問(wèn)題，目前還沒(méi)有提出有效的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

在本發(fā)明中提供了一種二維環(huán)形光斑的質(zhì)量檢測(cè)方法、裝置和存儲(chǔ)介質(zhì)，以解決相關(guān)技術(shù)中存在無(wú)法有效地篩選出刻寫(xiě)效果好的二維環(huán)形光斑的問(wèn)題。

第一個(gè)方面，在本發(fā)明中提供了一種二維環(huán)形光斑的質(zhì)量檢測(cè)方法，所述方法包括：

獲取待檢測(cè)的二維環(huán)形光斑的光強(qiáng)信息；

根據(jù)所述光強(qiáng)信息確定所述二維環(huán)形光斑在檢測(cè)線上的光強(qiáng)變化趨勢(shì)，所述檢測(cè)線包括自所述二維環(huán)形光斑的圓心向一側(cè)延伸的射線；

根據(jù)所述光強(qiáng)變化趨勢(shì)確定所述二維環(huán)形光斑的質(zhì)量。

在其中的一些實(shí)施例中，所述獲取待檢測(cè)的二維環(huán)形光斑的光強(qiáng)信息包括：

通過(guò)雪崩光電二極管或光電倍增管掃描待檢測(cè)的所述二維環(huán)形光斑，得到所述二維環(huán)形光斑的光強(qiáng)信息。

在其中的一些實(shí)施例中，所述根據(jù)所述光強(qiáng)信息確定所述二維環(huán)形光斑在檢測(cè)線上的光強(qiáng)變化趨勢(shì)包括：

確定所述二維環(huán)形光斑在所述檢測(cè)線上的光強(qiáng)最高點(diǎn)，計(jì)算所述二維環(huán)形光斑自所述光強(qiáng)最高點(diǎn)沿指向圓心方向的光強(qiáng)下降速率；

所述根據(jù)所述光強(qiáng)變化趨勢(shì)確定所述二維環(huán)形光斑的質(zhì)量包括：

根據(jù)所述光強(qiáng)下降速率確定所述二維環(huán)形光斑的質(zhì)量，所述二維環(huán)形光斑的質(zhì)量與所述光強(qiáng)下降速率呈正相關(guān)。

在其中的一些實(shí)施例中，所述檢測(cè)線為中軸線，所述根據(jù)所述光強(qiáng)信息確定所述二維環(huán)形光斑在檢測(cè)線上的光強(qiáng)變化趨勢(shì)包括：

根據(jù)所述光強(qiáng)信息生成所述二維環(huán)形光斑在中軸線上的光強(qiáng)雙峰曲線，所述光強(qiáng)雙峰曲線的橫坐標(biāo)表示位置及其縱坐標(biāo)表示光強(qiáng)；

確定所述光強(qiáng)雙峰曲線對(duì)應(yīng)于多個(gè)不同縱坐標(biāo)的內(nèi)側(cè)間距，計(jì)算多個(gè)所述內(nèi)側(cè)間距的標(biāo)準(zhǔn)差；

所述根據(jù)所述光強(qiáng)變化趨勢(shì)確定所述二維環(huán)形光斑的質(zhì)量包括：