[發明專利]一種基于鹵化物鈣鈦礦異質結自驅動光電探測的構型設計

在審

• 申請號: 202310006883.6
• 申請日: 2023-01-04
• 公開（公告）號: CN116581191A
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 田磊;何成宇;毛敏航
• 申請（專利權）人: 西安郵電大學
• 主分類號: H01L31/109
• 分類號: H01L31/109;H01L31/032
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于鹵化物鈣鈦礦異質結自驅動光電探測器，其特征在于，包括：底座（1）和位于底座上的襯底（2），光吸收層中的金屬氧化物薄膜（3）和鹵化物鈣鈦礦薄膜（4），叉指電極（5）和電極（6）以及外部電源（7）；

所述光吸收層中金屬氧化物薄膜（3）位于襯底（2）上；

所述光吸收層中鈣鈦礦鹵化物薄膜（4）位于金屬氧化物薄膜（3）上；

所述叉指電極（5）位于鹵化物鈣鈦礦薄膜（4）上。

2.如權利要求1所述的一種基于鹵化物鈣鈦礦異質結自驅動光電探測器，其特征在于，其寬度為40~45μm，長度為135~140μm。

3.如權利要求1所述的一種基于鹵化物鈣鈦礦異質結自驅動光電探測器，其特征在于其所述襯底（2）的寬度為35~40μm，長度為130~135μm，厚度為300~350μm；所述金屬氧化物薄膜（3）的寬度為30~35μm，長度為125~130μm，厚度為100~200nm；所述鹵化物鈣鈦礦薄膜（4）層的寬度為30~35μm，長度為125~130μm，厚度為200~600nm；所述的叉指電極（5）溝道寬度為9~12μm，叉指寬度為4~6μm；所述電極（6）半徑為2.5μm左右，厚度為5μm左右。

4.如權利要求1所述，所述光吸收層金屬氧化物薄膜（3）的材料可以為ZnO，Ga₂O₃或Al₂O₃中的一種。

5.如權利要求1所述，所述光吸收層鹵化物鈣鈦礦薄膜（4）的材料可以為CsPbI₃，CSPbBr₃的一種。

6.如權利要求1所述，所述叉指電極的材料為Cr或Au中的一種；所述電極材料為In，Ag，Cu或Al中的一種。

7.如權利要求1所述，所述襯底可以為Si，SiO₂或藍寶石中的一種。