[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置和半導(dǎo)體裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310003905.3 | 申請日： | 2023-01-03 |
| 公開（公告）號： | CN116613160A | 公開（公告）日： | 2023-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 窪內(nèi)源宜 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士電機(jī)株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/07 | 分類號： | H01L27/07;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;嚴(yán)美善 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
半導(dǎo)體基板；
設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)鹊亩鄠€溝槽；
埋入到所述多個溝槽的內(nèi)側(cè)的絕緣柵型電極構(gòu)造；
層間絕緣膜，其設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板和所述絕緣柵型電極構(gòu)造的上表面；以及
硅化物層，其設(shè)置于貫通所述層間絕緣膜的接觸孔的底部，與所述半導(dǎo)體基板的夾在相鄰的所述溝槽之間的上表面相接，
其中，所述硅化物層的下表面的至少一部分位于比所述層間絕緣膜的下表面靠上側(cè)的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述硅化物層是硅化鈦層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還具備設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的內(nèi)部的壽命控制區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還具備氮化鈦膜，所述氮化鈦膜設(shè)置于所述硅化物層的上表面和所述接觸孔的側(cè)面，與所述硅化物層的上表面相接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還具備隔著所述氮化鈦膜埋入到所述接觸孔的內(nèi)側(cè)的鎢膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述硅化物層的寬度比所述接觸孔的底面的寬度窄。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述半導(dǎo)體裝置是反向?qū)ㄐ偷慕^緣柵型雙極晶體管，具備：
設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的一部分的晶體管部；以及
設(shè)置于所述半導(dǎo)體基板的另一部分的二極管部。
8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：
從半導(dǎo)體基板的上表面?zhèn)刃纬啥鄠€溝槽；
在所述多個溝槽的各溝槽中埋入絕緣柵型電極構(gòu)造；
在所述半導(dǎo)體基板和所述絕緣柵型電極構(gòu)造的上表面沉積層間絕緣膜；
在位于所述半導(dǎo)體基板上的夾在相鄰的所述溝槽之間的位置的所述層間絕緣膜形成接觸孔；以及
以使硅化物層的下表面的至少一部分位于比所述層間絕緣膜的下表面靠上側(cè)的位置的方式在所述接觸孔的內(nèi)側(cè)形成所述硅化物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
所述硅化物層是硅化鈦層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
埋入所述絕緣柵型電極構(gòu)造的工序包括：在所述半導(dǎo)體基板的夾在相鄰的所述溝槽之間的上部形成凸部，
在形成所述接觸孔的工序中，以使所述凸部的上表面露出的方式形成所述接觸孔，
在形成所述硅化物層的工序中，在所述凸部的上表面沉積鈦膜，并通過熱處理使所述鈦膜與所述凸部的一部分發(fā)生反應(yīng)來形成所述硅化物層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
將所述接觸孔的底面的寬度形成得比所述凸部的寬度寬。
12.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
形成所述硅化物層的工序包括：
在所述接觸孔的內(nèi)側(cè)層疊硅膜和鈦膜，
通過熱處理使所述鈦膜與所述硅膜的至少一部分發(fā)生反應(yīng)來形成所述硅化物層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10～12中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，
在形成所述硅化物層的工序之后，還包括去除未反應(yīng)的所述鈦膜的工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
