[實用新型]碳化硅腐蝕爐

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202223501433.4
• 申請日: 2022-12-27
• 公開（公告）號: CN218994038U
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張世有;張雪;崔孟華;周維
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司;汕尾比亞迪實業(yè)有限公司
• 主分類號: F27B17/00
• 分類號: F27B17/00;F27D21/00
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442
• 代理人: 周禮濤

本實用新型公開了一種碳化硅腐蝕爐，包括：爐體；爐蓋，爐蓋蓋合在爐體上，爐蓋內(nèi)設(shè)有腔室，腔室內(nèi)可活動地設(shè)有第一腔門，以將腔室分隔為第一腔體和第二腔體，且第二腔體沿水平方向延伸至爐蓋的側(cè)邊，以用于由第二腔體取放待測樣品，爐蓋的側(cè)邊設(shè)有第二腔門，以關(guān)閉第二腔體；盛料件，盛料件設(shè)在爐體內(nèi)；盛料件內(nèi)用于盛放堿料，待測樣品通過第二腔體伸入第一腔體，且與盛料件的位置相對應(yīng)；加熱組件，加熱組件設(shè)在爐體內(nèi)，且位于盛料件的底部，以對盛料件進(jìn)行加熱。本實用新型的碳化硅腐蝕爐，無需打開爐蓋進(jìn)行取放樣品，有效防止腐蝕液直接外溢，確保腐蝕液與外界大氣環(huán)境的相對隔離。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及碳化硅質(zhì)量表征技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種碳化硅腐蝕爐。

背景技術(shù)

碳化硅(SiC)因其禁帶寬度大，導(dǎo)熱性好，臨界擊穿電場強度高，電子飽和漂移速度高等物理特性，在高溫、大功率器件領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用潛力。然而，SiC在生長過程中會不可避免地形成各種缺陷，而各種缺陷對SiC器件性能和可靠性則有著不同程度的影響。因此，SiC晶體質(zhì)量表征對于提高SiC器件性能至關(guān)重要。

濕法腐蝕是缺陷表征的主要方法。濕法腐蝕通常是指在腐蝕爐中采用高溫熔融的氫氧化鉀(KOH)作為腐蝕劑，對碳化硅進(jìn)行腐蝕。在SiC晶體中，有缺陷的部位存在較大的應(yīng)力，腐蝕的速度比無缺陷的部位快，從而形成腐蝕坑。而對于不同的位錯，形成的腐蝕坑形狀及其大小也不一樣，所以可以表征SiC晶體的缺陷。

目前，現(xiàn)有的腐蝕爐采用垂直開口設(shè)計，取放樣時需要開蓋(敞口)，對腐蝕液溫度的穩(wěn)定性影響較大，并且由于氫氧化鉀蒸汽在開蓋過程中，大量外溢，容易對操作人員造成傷害。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的一個目的是提供一種碳化硅腐蝕爐的新技術(shù)方案，至少能夠解決現(xiàn)有技術(shù)中的腐蝕爐在取放樣時需要開蓋，而容易導(dǎo)致氫氧化鉀蒸汽外溢，傷害操作人員健康的問題。

本實用新型提供了一種碳化硅腐蝕爐，包括：

爐體；

爐蓋，所述爐蓋蓋合在所述爐體上，所述爐蓋內(nèi)設(shè)有腔室，所述腔室內(nèi)可活動地設(shè)有第一腔門，以將所述腔室分隔為第一腔體和第二腔體，且所述第二腔體沿水平方向延伸至所述爐蓋的側(cè)邊，以用于由所述第二腔體取放待測樣品，所述爐蓋的側(cè)邊設(shè)有第二腔門，以關(guān)閉所述第二腔體；

盛料件，所述盛料件設(shè)在所述爐體內(nèi)，且所述盛料件的位置與所述第一腔體的位置相對應(yīng)；所述盛料件內(nèi)用于盛放堿料，所述待測樣品通過所述第二腔體伸入所述第一腔體，且與所述盛料件的位置相對應(yīng)，以用于對所述待測樣品進(jìn)行性能表征；

加熱組件，所述加熱組件設(shè)在所述爐體內(nèi)，且位于所述盛料件的底部，以對所述盛料件進(jìn)行加熱。

可選地，所述第二腔體的截面為倒T形，所述第二腔體在所述爐蓋的側(cè)邊形成倒T形的開口。

可選地，所述爐蓋的截面呈方形，所述爐蓋的朝向所述爐體的一側(cè)的內(nèi)壁為斜壁，所述斜壁由所述第一腔體朝向所述第二腔體向上傾斜延伸。

可選地，所述爐蓋內(nèi)設(shè)有熱電偶，所述熱電偶具有鎳包裹層，所述熱電偶的一端與所述爐蓋連接，另一端伸入所述盛料件內(nèi)，且所述熱電偶的高度與所述待測樣品在所述第一腔體內(nèi)的高度齊平。

可選地，所述爐蓋內(nèi)還設(shè)有激光測距儀，所述激光測距儀設(shè)在所述斜壁上，且所述激光測距儀的位置與所述盛料件的位置相對應(yīng)。

可選地，所述爐蓋內(nèi)設(shè)有第一保溫件，所述爐蓋的內(nèi)壁設(shè)有鎳制保護(hù)層。

可選地，所述盛料件為鎳坩堝，所述盛料件設(shè)有第二保溫件。

可選地，所述加熱組件包括：

電磁爐模塊，所述電磁爐模塊設(shè)在所述盛料件的底部，以對所述盛料件進(jìn)行磁感應(yīng)渦流加熱；