[實用新型]三維存儲器件

有效

• 申請號: 202223355316.1
• 申請日: 2022-12-14
• 公開（公告）號: CN219592983U
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 何世偉;戴燦發;刁德天宇;孔果果;朱賢士;余永健
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H10B41/35
• 分類號: H10B41/35;H10B41/50;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/50;H10B43/27
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種三維存儲器件，其特征在于，包括：

一襯底；

一堆疊結構，設置在所述襯底上，包括交替設置的多個導電層和多個電介質層；以及

一存儲串結構，貫穿所述堆疊結構，并且包括：

一導電柱；以及

一存儲層，介于所述導電柱與所述堆疊結構之間幷且圍繞所述導電柱，其中所述存儲層包括多個第一凸出部，分別填充在所述導電層和所述電介質層之交界處的多個第一凹陷中。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述堆疊結構還包括多個介面層，分別位于所述導電層的底面與所述電介質層之間。

3.根據權利要求2所述的三維存儲器件，其特征在于，所述存儲層還包括多個第二凸出部，分別填充在所述導電層、所述電介質層，和所述介面層之間的多個第二凹陷中，其中所述第二凹陷的深度大于所述第一凹陷的深度。

4.根據權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，還包括：

一接觸墊，設置在所述襯底中；以及

一襯墊層，設置在所述堆疊結構與所述襯底之間，其中所述存儲串結構穿過所述襯墊層，與所述接觸墊直接接觸。

5.根據權利要求4所述的三維存儲器件，其特征在于，所述襯墊層包括一金屬氧化物層。

6.根據權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述導電層與所述第一凸出部接觸的部分包括一圓化輪廓。

7.根據權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述存儲串結構的頂部寬度大于底部寬度。

8.根據權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述多個導電層中，越上層的厚度越厚。