[實用新型]一種硅通孔轉接板及芯片封裝結構有效
| 申請號： | 202223286766.X | 申請日： | 2022-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN219163397U | 公開（公告）日： | 2023-06-09 |
| 發明（設計）人： | 宋冠宇 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 張瑞瑩;李鏑的 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅通孔 轉接 芯片 封裝 結構 | ||
1.一種硅通孔轉接板，其特征在于，包括：
硅晶圓，其上設置有至少一個硅通孔，所述硅通孔包括：
第一部，所述第一部在所述硅晶圓的第一表面處設置有突出結構；以及
第二部，所述第二部的底部直徑大于所述第一部；
第一絕緣層，其設置于所述硅晶圓的第一表面，所述硅通孔的第一部延伸并貫穿所述第一絕緣層；
第一導電薄膜，其覆蓋所述第一絕緣層的第一表面以及所述硅通孔的第一部的表面；
第二絕緣層，其設置于所述硅晶圓的第二表面，所述硅通孔的第二部延伸并貫穿所述第二絕緣層；以及
第二導電薄膜，其覆蓋所述第二絕緣層的第一表面以及所述硅通孔的第二部的表面，所述第二導電薄膜與所述第一導電薄膜連接。
2.如權利要求1所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述硅晶圓的厚度為200至300微米。
3.如權利要求1所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述第一絕緣層及第二絕緣層的厚度不大于10微米。
4.如權利要求1所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述硅通孔的第一部的底部直徑為15至25微米，以及第二部的底部直徑為40至60微米。
5.如權利要求1所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述突出結構的長度大于0.5微米，但不大于所述第一部的底部直徑的5％。
6.如權利要求1所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述第一絕緣層和/或第二絕緣層的材質為氧化硅、氮化硅或其疊層結構。
7.如權利要求1所述的硅通孔轉接板，其特征在于，所述第一導電薄膜和/或第二導電薄膜的材質相同或不同，且為：銅、或鎢、或鋁、或鈦、或氮化鈦。
8.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括如權利要求1至7任一所述的硅通孔轉接板。
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