[實用新型]熱處理裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202222992404.6 | 申請日: | 2022-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN219085937U | 公開(公告)日: | 2023-05-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 久我恭弘;大島和彥 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;G03F7/16;G03F7/38;G03F7/40 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熱處理 裝置 | ||
1.一種熱處理裝置,其特征在于,
該熱處理裝置包括:
加熱部,其支承形成有處理液的膜的基板并對其進(jìn)行加熱;
腔室,其以包圍支承于所述加熱部的所述基板的方式配置;
排氣部,其從所述腔室內(nèi)的空間經(jīng)由位于所述加熱部的周圍的排出口排出氣體;
分隔部,其將所述腔室內(nèi)的空間分隔為所述加熱部上的所述基板暴露的第1空間和位于所述第1空間的上方的第2空間;以及
切換部,其切換利用所述排氣部經(jīng)由所述第1空間使氣體排出的第1狀態(tài)和利用所述排氣部經(jīng)由所述第2空間使氣體排出的第2狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述熱處理裝置還包括控制部,該控制部在所述加熱部對所述基板的加熱的執(zhí)行過程中控制所述切換部,以從所述第2狀態(tài)切換至所述第1狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述排出口包括向所述第1空間開口的第1排出口和向所述第2空間開口的第2排出口,
所述切換部具有封堵構(gòu)件,該封堵構(gòu)件構(gòu)成為在所述第1狀態(tài)下開放與所述第1排出口連接的第1流路且封堵與所述第2排出口連接的第2流路,并構(gòu)成為在所述第2狀態(tài)下封堵所述第1流路且開放所述第2流路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述熱處理裝置還包括流路調(diào)整部,該流路調(diào)整部具有內(nèi)壁,該內(nèi)壁配置在所述第1空間的所述加熱部的周圍,將所述第1空間分隔為包含所述加熱部的容納空間和包含所述排出口的調(diào)整空間,
在所述內(nèi)壁形成有連接所述容納空間和所述調(diào)整空間并沿著所述內(nèi)壁延伸的方向排列的多個排出孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述流路調(diào)整部還具有第2內(nèi)壁,該第2內(nèi)壁將所述調(diào)整空間分隔為包含所述內(nèi)壁的緩沖空間和包含所述排出口的排出空間,
在所述第2內(nèi)壁形成有連接所述緩沖空間和所述排出空間并沿著所述第2內(nèi)壁延伸的方向排列的多個第2排出孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱處理裝置,其特征在于,
在從上方觀察所述加熱部時,在與連結(jié)所述加熱部的中心和所述排出口的中心的方向正交的寬度方向上,所述內(nèi)壁的長度大于所述加熱部上的所述基板的長度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱處理裝置,其特征在于,
在從上方觀察所述加熱部時,所述多個排出孔分別形成為沿著連結(jié)所述加熱部的中心和所述排出口的中心的方向貫穿所述內(nèi)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的熱處理裝置,其特征在于,
在從上方觀察所述加熱部時,所述內(nèi)壁形成為沿著繞所述加熱部的中心的周向延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理裝置,其特征在于,
所述排出口包括向所述第1空間開口的第1排出口和向所述第2空間開口的第2排出口,
在從上方觀察所述加熱部時,在與連結(jié)所述加熱部的中心和所述第2排出口的中心的方向正交的寬度方向上,所述第2排出口的長度小于所述加熱部的長度,
所述第2空間包括第1流路和第2流路,該第1流路包含將所述第2空間與所述第1空間連接的連接口,該第2流路的所述寬度方向上的大小小于所述第1流路的所述寬度方向上的大小,
所述第2流路的至少局部設(shè)于與所述加熱部重疊的位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熱處理裝置,其特征在于,
在所述腔室的側(cè)壁設(shè)有所述基板的送入送出口,
所述熱處理裝置還包括閘構(gòu)件,該閘構(gòu)件在其與所述側(cè)壁之間設(shè)有間隙地配置,切換從側(cè)方覆蓋所述送入送出口的閉狀態(tài)和開放所述送入送出口的開狀態(tài),
在所述閉狀態(tài)下,所述側(cè)壁和所述閘構(gòu)件之間的間隙大于在所述閘構(gòu)件的下方形成的間隙。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





