[實(shí)用新型]功率放大器及射頻前端模組

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202222872858.X
• 申請日: 2022-10-28
• 公開（公告）號: CN219087103U
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 賴曉蕾;曹原;方建;饒雪琴;倪建興
• 申請（專利權(quán)）人: 銳石創(chuàng)芯（深圳）科技股份有限公司
• 主分類號: H03F3/21
• 分類號: H03F3/21;H03F3/24;H03F3/19
• 代理公司: 深圳眾鼎匯成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44566
• 代理人: 朱業(yè)剛

1.一種功率放大器，其特征在于，包括信號輸入端、信號輸出端、M個功率放大晶體管和M個反饋電路，M≧2；

每一所述功率放大晶體管的輸入端耦合至所述信號輸入端，每一所述功率放大晶體管的輸出端耦合至所述信號輸出端；

所述反饋電路包括第一端和第二端，所述反饋電路的第一端與所述M個功率放大晶體管中的其中一個功率放大晶體管的輸入端連接，所述反饋電路的第二端與另一個功率放大晶體管的輸出端連接。

2.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大晶體管為雙極型晶體管，所述功率放大晶體管的基極為輸入端，所述功率放大晶體管的集電極為輸出端，所述功率放大晶體管的發(fā)射極接地；

或者，所述功率放大晶體管為場效應(yīng)晶體管，所述功率放大晶體管的柵極為輸入端，所述功率放大晶體管的源極為輸出端，所述功率放大晶體管的漏極接地。

3.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，M個所述功率放大晶體管包括第一晶體管和第二晶體管；M個所述反饋電路包括第一反饋電路和第二反饋電路；

所述第一反饋電路的第一端與所述第一晶體管的輸入端相連，所述第一反饋電路的第二端與所述第二晶體管的輸出端相連；

所述第二反饋電路的第一端與所述第一晶體管的輸出端相連，所述第二反饋電路的第二端與所述第二晶體管的輸入端相連。

4.如權(quán)利要求3所述的功率放大器，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管為相鄰設(shè)置的晶體管。

5.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，M個所述功率放大晶體管包括第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管；M個所述反饋電路包括第一反饋電路、第二反饋電路和第三反饋電路；

所述第一反饋電路的第一端與所述第一晶體管的輸入端相連，所述第一反饋電路的第二端與所述第二晶體管的輸出端相連；

所述第二反饋電路的第一端與所述第二晶體管的輸入端相連，所述第二反饋電路的第二端與所述第三晶體管的輸出端相連；

所述第三反饋電路的第一端與所述第三晶體管的輸入端相連，所述第三反饋電路的第二端與所述第一晶體管的輸出端相連。

6.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，M個所述功率放大晶體管包括第一晶體管、第二晶體管和第三晶體管；M個所述反饋電路包括第一反饋電路、第二反饋電路和第三反饋電路；

所述第一反饋電路的第一端與所述第一晶體管的輸入端相連，所述第一反饋電路的第二端與所述第三晶體管的輸出端相連；

所述第二反饋電路的第一端與所述第二晶體管的輸入端相連，所述第二反饋電路的第二端與所述第一晶體管的輸出端相連；

所述第三反饋電路的第一端與所述第三晶體管的輸入端相連，所述第三反饋電路的第二端與所述第二晶體管的輸出端相連。

7.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，每一所述功率放大晶體管的輸入端通過一個隔直電容耦合至所述功率放大器的信號輸入端。

8.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，每一所述功率放大晶體管的輸出端通過第一耦合電路耦合至所述功率放大器的信號輸出端，其中，所述第一耦合電路包括電容、電感和電阻中的至少一個。

9.如權(quán)利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述反饋電路包括串聯(lián)連接的第一電容和第一電阻；或者，包括串聯(lián)連接的第一電容、第一電阻和第一電感。

10.一種射頻前端模組，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的功率放大器。