本申請涉及一種集成電路封裝結構，其包括金屬框架、內引腳線、外引腳線，固定于所述金屬框架上的芯片和功率開關，以及芯片、功率開關和內引腳線之間的連接線，和密封所述金屬框架、芯片、功率開關以及連接線的塑封體；所述金屬框架包括載片臺以及與所述載片臺相連接的加寬引腳，所述芯片和功率開關均固定于所述載片臺上，所述加寬引腳上開設有分隔孔，以使所述加寬引腳形成第一加寬引腳和第二加寬引腳。本申請具有較大的功率MOS裝載能力和熱導出能力，提高功率應用范圍的效果。
技術領域
本申請涉及集成電路封裝的技術領域，尤其是涉及一種集成電路封裝結構。
背景技術
在開關電源IC中，一般使用一個獨立的PWM控制器驅動一個獨立的高壓功率開關(例如MOSFET，IGBT，SIC等，以下統稱為MOS)的電路結構方式，為了提高對過熱狀況的控制能力，避免功率開關因過高溫度而崩潰，需要控制芯片能更好地對功率開關的發熱情況進行及時有效的監控，對于功率開關外置獨立放置的方式，會因為控制芯片未與MOS有很好的熱連接而無法快速探知其溫度變化，也就無法對其實施可靠的過溫度保護等動作，因此在中小功率開關電源IC應用中，常常采取將MOS合封在一個封裝體中的結構，從而可以有效地優化控制芯片探知MOS溫度的能力。
目前，在一般的開關電源IC合封結構中，較為常見的封裝形式以公模方式被業界廣泛使用，例如SOP8或者DIP8等。在這些常見的封裝形態中，作為功率型芯片，作為上述需要合封MOS時的封裝載體，例如一個典型的SOP8封裝中，其裝載650VMOS的能力一般在10mm2以下，同時這些傳統的封裝形態，封裝在其內部的MOS開關僅能通過較為窄小且數量極少的引腳作為導熱通道，熱傳導能力差，極大地限制了此類封裝的功率應用范圍。
上述中的相關技術，存在有在封裝較大尺寸MOS時，熱傳導能力較差的缺陷。
實用新型內容
為了提高熱傳導能力，本申請提供一種集成電路封裝結構。
本申請提供的一種集成電路封裝結構采用如下的技術方案：
一種集成電路封裝結構，包括金屬框架、內引腳線、外引腳線，固定于所述金屬框架上的芯片和功率開關，以及芯片、功率開關和內引腳線之間的連接線，和密封所述金屬框架、芯片、功率開關以及連接線的塑封體；所述金屬框架包括載片臺以及與所述載片臺相連接的加寬引腳，所述芯片和功率開關均固定于所述載片臺上，所述加寬引腳上開設有分隔孔，以使所述加寬引腳形成第一加寬引腳和第二加寬引腳。
通過采用上述技術方案，通過將第一加寬引腳和第二加寬引腳與封裝內部的大面積載片臺相連，形成芯片、功率開關與外界環境的散熱通道，使得芯片和功率開關能夠快速散熱，使得在較大的功率MOS裝載能力的情況下，具有較寬大的熱傳導結構，與相關技術中SOP8結構相比，提高熱傳導能力，同時通過設置分隔孔，防止后續切筋成型時由于受到向下的壓力導致加寬引腳折斷和脫離。
可選的，所述加寬引腳上開設有注膠孔。
通過采用上述技術方案，注膠孔的設置，在封裝時通過注膠孔將塑封體的上下層連接在一起，使塑封體不易因加寬引腳的寬度影響，有效降低封裝分層的風險，提高可靠性。
可選的，所述注膠孔包括第一注膠孔和第二注膠孔，所述第一加寬引腳和所述第二加寬引腳上均開設有第一注膠孔，且所述第一注膠孔均位于所述塑封體內；所述第二注膠孔開設于兩個所述第一注膠孔之間。
通過采用上述技術方案，在塑封體內將第一注膠孔分別開設在第一加寬引腳處和第二加寬引腳處，第二注膠孔開設在兩個第一注膠孔之間，通過第一注膠孔和第二注膠孔打膠，提高粘合性，提高封裝結構的可靠性。
可選的，部分所述第二注膠孔位于所述塑封體外，且所述第二注膠孔與所述分隔孔對應設置。
