[實用新型]一種降低翹曲的扇出型板級封裝結構和電子設備

有效

• 申請號: 202222656331.3
• 申請日: 2022-10-09
• 公開（公告）號: CN218918842U
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 馬磊
• 申請（專利權）人: 成都復錦功率半導體技術發展有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/498
• 代理公司: 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 張巨箭

本實用新型公開了一種降低翹曲的扇出型板級封裝結構和電子設備，封裝結構包括：第一塑封層；芯片，設置于所述第一塑封層內；所述第一塑封層背面設置有若干第一冷卻槽體和若干第二冷卻槽體，所述第一冷卻槽體位于芯片側面的外側，所述第二冷卻槽體位于芯片背面的下側。在本實用新型中，第二冷卻槽體的產生不僅相當于去除更多第一塑封層的塑封料以降低應力從而減小整體的封裝翹曲，并且進一步改善了芯片與第一塑封層之間產生的翹曲、即解決第一注塑層與芯片的熱膨脹系數不匹配的問題，最終使得封裝產品的翹曲大大降低。

技術領域

本實用新型涉及晶圓制造領域，尤其涉及一種降低翹曲的扇出型板級封裝結構和電子設備。

背景技術

從晶圓代工廠、封裝廠到IC設計公司和系統廠商，都開始將先進封裝作為突破摩爾定律的一個方向。先進封裝作為晶圓制造的后道工序，在持續壓縮芯片體積、提高加工效率、提高設計效率和減少設計成本方面不斷發揮重要作用。相比于傳統封裝，先進封裝具有提升芯片功能密度、縮短互聯長度和進行系統重構三大功能。這其中，RDL(Re-distributedlayer，重布線層)技術的運用功不可沒。也正是這項技術的興起，使得封裝廠得以在扇出型封裝技術上與晶圓廠一較高下。扇出型封裝又分為扇出型晶圓級封裝(Fan-OutWaferLevel?Packaging；FOWLP)，以及扇出型面板級封裝(Fan-OutPanelLevelPackaging；FOPLP)。

其中，FOPLP顧名思義就是把已知合格芯片KGD重排在一個板級大小的載體上進行整體封裝后再切割，因為板的尺寸比晶圓大，一次可以封裝更多芯片，所以理論上產能和成本都更有優勢。但是對應地，由于封裝時尺寸過大以及材料間的熱膨脹(CTE)的不匹配，在封裝工藝中，無法實現內部應力的平衡，最終導致注塑材料冷卻過程中產生翹曲。

現有技術(申請號為CN201910446517.6的中國專利)公開了一種降低扇出型封裝翹曲的方法，其在注塑材料一側位置設有應力釋放孔或者應力釋放槽，實現了改善封裝翹曲，減少封裝內應力的目的，提高了封裝質量與可靠性。但是其僅由于僅在芯片兩側開槽，其僅改善了注塑材料和基板之間的翹曲，而對于塑封材料與芯片之間產生的翹曲問題，改善效果并不明顯。

因此，針對上述問題，提供一種降低翹曲的扇出型板級封裝結構和電子設備，是本領域亟待解決的技術問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于克服現有技術的不足，提供一種降低翹曲的扇出型板級封裝結構和電子設備。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現的：

本實用新型的第一方面，提供一種降低翹曲的扇出型板級封裝結構，包括：

第一塑封層；

芯片，設置于所述第一塑封層內；

所述第一塑封層背面設置有若干第一冷卻槽體和若干第二冷卻槽體，所述第一冷卻槽體位于芯片側面的外側，所述第二冷卻槽體位于芯片背面的下側。

進一步地，所述封裝結構還包括：

重布線子結構，位于所述第一塑封層正面和芯片正面的上方，與芯片正面電連接；

所述重布線子結構包括：

第一介質層，設置于第一塑封層和芯片上方，所述第一介質層上設置有通電通孔；

重布線層，設置于第一介質層上方，且通過所述通電通孔與所述芯片正面電連接；

外接焊球，設置于所述重布線層上方，且與所述重布線層連接。

進一步地，所述重布線子結構還包括：

第二介質層，位于所述第一介質層和所述重布線層上方，所述第二介質層上設置有焊球通孔。