[發(fā)明專(zhuān)利]一種電流源

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611248673.4
• 申請(qǐng)日: 2016-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106774593A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方海彬;劉銘
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司;合肥格易集成電路有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G05F1/567
• 分類(lèi)號(hào): G05F1/567
• 代理公司: 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11319
• 代理人: 蘇培華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電流源。

背景技術(shù)

圖1是傳統(tǒng)電流源的電路結(jié)構(gòu)，其中，P1’和P2’是P增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，N1’和N2’是N增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，V’是電源。

傳統(tǒng)電流源存在以下缺陷：流過(guò)電阻R’的電流I’＝Vt’*lnm’/R’，熱電壓Vt’＝KT’/q’，m’是N2’和N1’的寬長(zhǎng)比之比。從電流I’的計(jì)算公式中可以看出，電流I’隨溫度升高而增大，即傳統(tǒng)電流源的輸出端電流隨溫度升高而增大。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種電流源，以解決或至少部分解決傳統(tǒng)電流源的輸出端電流隨溫度升高而增大的問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種電流源，包括：負(fù)溫度系數(shù)的第一電流源產(chǎn)生電路、正溫度系數(shù)的第二電流源產(chǎn)生電路和鏡像輸出電路，其中，所述第一電流源產(chǎn)生電路的電源端與電源相連，所述第一電流源產(chǎn)生電路的輸出端與所述鏡像輸出電路的第一輸入端相連；所述第二電流源產(chǎn)生電路的電源端與所述電源相連，所述第二電流源產(chǎn)生電路的輸出端與所述鏡像輸出電路的第二輸入端相連；所述鏡像輸出電路的電源端與所述電源相連，所述鏡像輸出電路的輸出端作為所述電流源的輸出端。

可選地，所述第一電流源產(chǎn)生電路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源端與所述電源相連；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源端與所述電源相連，所述第二PMOS管的柵端分別與所述第一PMOS管的柵端和所述第二PMOS管的漏端相連；第一NMOS管，所述第一NMOS管的柵端與所述第一PMOS管的漏端相連，所述第一NMOS管的漏端與所述第二PMOS管的漏端相連，所述第一NMOS管的漏端和所述第二PMOS管的漏端作為所述第一電流源產(chǎn)生電路的輸出端；第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏端分別與所述第一PMOS管的漏端和所述第一NMOS管的柵端相連，所述第二NMOS管的柵端與所述第一NMOS管的源端相連，所述第二NMOS管的源端接地；第一電阻模塊，所述第一電阻模塊的一端分別與所述第二NMOS管的柵端和所述第一NMOS管的源端相連；第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏端分別與所述第一電阻模塊的另一端和所述第三NMOS管的柵端相連，所述第三NMOS管的源端接地。

可選地，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管為增強(qiáng)型PMOS管，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管為增強(qiáng)型NMOS管，所述第三NMOS管為耗盡型NMOS管。

可選地，所述鏡像輸出電路包括：第三PMOS管，所述第三PMOS管的源端與所述電源相連，所述第三PMOS管的柵端與所述第二電流源產(chǎn)生電路的輸出端相連；第四PMOS管，所述第四PMOS管的源端與所述電源相連，所述第四PMOS管的柵端與所述第一電流源產(chǎn)生電路的輸出端相連，所述第四PMOS管的漏端與所述第三PMOS管的漏端相連，所述第四PMOS管的漏端和所述第三PMOS管的漏端作為所述鏡像輸出電路的輸出端。

可選地，所述第二電流源產(chǎn)生電路包括：第五PMOS管，所述第五PMOS管的源端與所述電源相連；第六PMOS管，所述第六PMOS管的源端與所述電源相連，所述第六PMOS管的柵端分別與所述第五PMOS管的柵端和所述第六PMOS管的漏端相連；第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏端分別與所述第五PMOS管的漏端和所述第四NMOS管的柵端相連，所述第四NMOS管的源端接地；第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏端與所述第六PMOS管的漏端相連，所述第五NMOS管的柵端與所述第四NMOS管的柵端相連，所述第五NMOS管的漏端和所述第六PMOS管的漏端作為所述第二電流源產(chǎn)生電路的輸出端；第二電阻模塊，所述第二電阻模塊的一端與所述第五NMOS管的源端相連，所述第二電阻模塊的另一端接地。

可選地，所述第五PMOS管和所述第六PMOS管為增強(qiáng)型PMOS管，所述第四NMOS管和所述第五NMOS管為增強(qiáng)型NMOS管。

可選地，所述第二電流源產(chǎn)生電路還包括：第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏端與所述第六PMOS管的漏端相連，所述第六NMOS管的柵端與所述第四NMOS管的柵端相連，所述第六NMOS管的源端與所述第五NMOS管的漏端相連。

可選地，所述第六NMOS管為耗盡型NMOS管。