[實用新型]一種MPCVD設備用觀察窗及MPCVD設備有效
| 申請號: | 202220975197.0 | 申請日: | 2022-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN217230928U | 公開(公告)日: | 2022-08-19 |
| 發明(設計)人: | 崔名揚;李宏利;方海江;孫勝浩;鄭逢達 | 申請(專利權)人: | 河南天璇半導體科技有限責任公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/511;C30B25/00 |
| 代理公司: | 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119 | 代理人: | 陳曉輝 |
| 地址: | 450000 河南省鄭州市河南自貿試驗區鄭州片區(鄭*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mpcvd 備用 觀察窗 設備 | ||
本實用新型提供一種MPCVD設備用觀察窗及MPCVD設備,該MPCVD設備包括設備腔體,設備腔體上安裝有觀察窗,該觀察窗包括觀察鏡片和外螺紋管,外螺紋管的露出端處設有環形臺,環形臺的上端面處設有環形臺階,環形臺階包括上臺階平面和用于支撐放置觀察鏡片的下臺階平面,下臺階平面與觀察鏡片之間布置有第一環形密封件,環形臺階的高度大于觀察鏡片的厚度,環形臺上設有鏡片壓蓋,上臺階平面在外螺紋管的軸向上擋止配合,以限定對觀察鏡片的壓緊力;外螺紋管的旋入端的端面處設有第二環形密封件。本實用新型的提供的MPCVD設備用觀察窗可以有效解決現有技術中在MPCVD設備上安裝觀察窗時存在密封效果不好以及觀察鏡片安裝困難的技術問題。
技術領域
本實用新型涉及MPCVD設備附件領域,具體涉及一種MPCVD設備用觀察窗及MPCVD設備。
背景技術
目前,微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法是制備高品質單晶金剛石的首選方法,由于高品質單晶金剛石對生長環境的要求較高,因此MPCVD設備在設計及安裝時均有嚴格的要求,其中MPCVD設備腔體的真空度是否達標是評價設備是否合格的重要因素之一。在制備高品質單晶金剛石的過程中,需要不斷觀測MPCVD設備腔體內部的單晶金剛石狀態,因此需要在MPCVD設備腔體上安裝觀察窗。而觀察窗的安裝結構是否合理,在一定程度上影響著MPCVD設備腔體的真空度。
現有的MPCVD設備腔體的觀察窗的安裝結構如下:現有的MPCVD設備腔體的壁面上設有螺紋孔,螺紋孔為傾斜布置的螺紋孔,螺紋孔的下端設有環形臺階,觀察窗包括觀察鏡片和外螺紋管。安裝觀察窗時,先在螺紋孔下端的環形臺階上投放一個密封圈,接著將觀察鏡片投入螺紋孔中以壓緊密封圈,然后再向觀察鏡片的上側面處投放一個密封圈,最后將外螺紋管旋入螺紋孔中,通過外螺紋管將密封圈和觀察鏡片壓緊固定。從前述安裝過程可以看出,現有的觀察窗在安裝時,主要是利用觀察鏡片上下兩側面處的密封圈來保證對MPCVD設備腔體的密封,為達到較好的密封效果,就需要密封圈在投放到螺紋孔中后能夠與螺紋孔同軸布置,以方便外螺紋管對其進行較好地壓緊。
但上述觀察窗在安裝到MPCVD設備腔體上時存在兩處問題,具體為:1、為了將密封圈和觀察鏡片投放入螺紋孔內,密封圈和觀察鏡片的徑向尺寸就必須小于螺紋孔的徑向尺寸,且螺紋孔為傾斜螺紋孔,在將密封圈和觀察鏡片投放至環形臺階處時密封圈和觀察鏡片均會發生滑動,使得密封圈在投放到螺紋孔中后很難與螺紋孔保持同軸,導致外螺紋管很難對密封圈進行較好地壓緊,存在密封效果不好的可能;2、在操作外螺紋管旋入螺紋孔中對觀察鏡片進行壓緊時,外螺紋管的旋入力度較難掌握,且因外螺紋管的壁厚較薄,外螺紋管與觀察鏡片的接觸面積較小,經常會出現將觀察鏡片壓碎的的情況。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種MPCVD設備用觀察窗,以解決現有技術中在MPCVD設備上安裝觀察窗時存在密封效果不好以及觀察鏡片安裝困難的技術問題。同時,本實用新型還提供一種MPCVD設備,以解決上述問題。
本實用新型中MPCVD設備用觀察窗采用如下技術方案:
該MPCVD設備用觀察窗包括觀察鏡片和外螺紋管,所述外螺紋管的露出端處設有環形臺,所述環形臺的上端面處設有環形臺階,所述環形臺階包括上臺階平面和用于支撐放置所述觀察鏡片的下臺階平面,所述下臺階平面與所述觀察鏡片之間布置有第一環形密封件,所述環形臺階的高度大于所述觀察鏡片的厚度,所述環形臺上設有鏡片壓蓋,所述鏡片壓蓋將所述觀察鏡片壓緊在所述下臺階平面上,所述上臺階平面在所述外螺紋管的軸向上擋止配合,以限定對所述觀察鏡片的壓緊力;所述外螺紋管的旋入端的端面處固定安裝有第二環形密封件。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





