[實用新型]一種適用于光電封裝的集成薄膜電路

有效

• 申請號: 202220970648.1
• 申請日: 2022-04-25
• 公開（公告）號: CN217983345U
• 公開（公告）日: 2022-12-06
• 發明（設計）人: 徐建衛;汪鵬
• 申請（專利權）人: 上海矽安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/01
• 分類號: H01L27/01;H01L23/00
• 代理公司: 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297
• 代理人: 周高

1.一種適用于光電封裝的集成薄膜電路，包括襯底片，其特征在于：所述襯底片的上表面設有硅化物層，所述硅化物層的表面設有電容和電阻，所述電容的表面設有金錫焊盤，所述電容包括下電極、介電層和上電極，所述下電極與硅化物層連接，所述介電層位于下電極和上電極之間，所述上電極與金錫焊盤連接并與所述金錫焊盤一體成型，所述上電極和下電極均通過連接線連接有設于硅化物層上的電容打線盤，所述電阻包括電阻層和電極層，所述電阻層位于電極層的上表面，所述電極層與硅化物層連接，且所述電極層通過導線連接有設于硅化物層上的電阻打線盤。

2.根據權利要求1所述的一種適用于光電封裝的集成薄膜電路，其特征在于：所述襯底片為硅片、砷化鎵、藍寶石或者氮化鋁陶瓷中的一種。

3.根據權利要求1所述的一種適用于光電封裝的集成薄膜電路，其特征在于：所述襯底片的下表面設有金屬層，所述襯底片內開設有多個通孔，所述襯底片上表面的上電極和下表面的金屬層通過通孔連通。

4.根據權利要求1所述的一種適用于光電封裝的集成薄膜電路，其特征在于：所述下電極、介電層和上電極均位于非打線區域，所述電容打線盤和電阻打線盤位于打線區域。

5.根據權利要求1所述的一種適用于光電封裝的集成薄膜電路，其特征在于：所述硅化物層為二氧化硅或者氮化硅薄膜。

6.根據權利要求1所述的一種適用于光電封裝的集成薄膜電路，其特征在于：所述連接線包括下層、中層和上層，所述下層與硅化物層連接，所述中層位于下層和上層之間，所述下層為金屬層，所述中層為二氧化硅或者氮化硅薄膜，所述上層為含有微帶線的金屬層。