[實(shí)用新型]一種面發(fā)射激光器芯片及光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202220742811.9 | 申請日： | 2022-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN218040201U | 公開（公告）日： | 2022-12-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李麗;連海斌;蘇樊城;鐘曉榮 | 申請（專利權(quán)）人： | 昂納信息技術(shù)（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/024;H01S5/00 |
| 代理公司： | 深圳市道臻知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44360 | 代理人： | 陳琳 |
| 地址： | 518000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 發(fā)射 激光器 芯片 器件 | ||
本實(shí)用新型涉及一種面發(fā)射激光器芯片及光器件，所述面發(fā)射激光器芯片包括基板、多個面發(fā)射激光器、測溫單元和金屬管帽，所述金屬管帽罩設(shè)在面發(fā)射激光器和測溫單元上且與基板連接，所述面發(fā)射激光器的連接電路和測溫元件的連接電路共同接入基板的地線。該面發(fā)射激光器芯片通過將多個面發(fā)射激光器和測溫單元貼合設(shè)置在同一基板上進(jìn)行共同散熱，并通過設(shè)置有玻璃的金屬管帽進(jìn)行封裝，可以使測溫單元、面發(fā)射激光器近距離的處于同一密封空間內(nèi)，保證面發(fā)射激光器與測溫單元溫度的一致性，從而提高面發(fā)射激光器的溫度測量的精度；此外，所述面發(fā)射激光器與測溫單元通過基板的接地電路接地，即可簡化面發(fā)射激光器的接地電路和測溫單元的接地電路，從而降低生產(chǎn)成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及面發(fā)射激光器芯片溫度測量技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種面發(fā)射激光器芯片及光器件。
背景技術(shù)
隨著科技的發(fā)展，信息傳輸速率越來越高，尤其在光通信領(lǐng)域里，光器件的集成度也越來越高。比如，常見的垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical Cavity Surface EmittingLaser，即VCSEL)，速率越來越高，尺寸越來越小，有單通道和4通道陣列等多種規(guī)格，集成度也越來越高，對散熱的要求設(shè)計(jì)也越來越嚴(yán)格，因此，設(shè)計(jì)者越來越關(guān)注VCSEL的實(shí)際溫度，一是用于 VCSEL老化篩選，二是用于實(shí)時監(jiān)控VCSEL溫度，進(jìn)而去優(yōu)化相關(guān)設(shè)計(jì)。
目前常見的測試VCSEL溫度的方法有：
1、通過熱仿真計(jì)算得到的參考值；
2、以模塊殼體溫度來近似參考；
3、以模塊驅(qū)動芯片溫度近似參考；
4、測試VCSEL背面溫度近似參考。
但是上述測試VCSEL溫度的方法，都是通過測溫元件測量與芯片相鄰部件的溫度得出的近似參考值，測溫元件與芯片均不在同一空間內(nèi)，當(dāng)芯片的溫度傳遞至相鄰部件時，溫度已經(jīng)部分流失，即采用上述方法進(jìn)行芯片的測量的誤差范圍較大，很難精準(zhǔn)的去探測VCSEL溫度。
因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于，提供一種面發(fā)射激光器芯片及光器件，以解決現(xiàn)有的面發(fā)射激光器的溫度測量精度低的技術(shù)問題。
本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案如下：
本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種面發(fā)射激光器芯片，包括：
基板，設(shè)置有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層形成接地電路
多個面發(fā)射激光器，貼合設(shè)置在基板上，多個所述面發(fā)射激光器與所述基板電連接；
測溫單元，貼合設(shè)置在基板上，所述測溫單元與所述基板電連接；
金屬管帽，頂部設(shè)置有玻璃；
其中，多個所述面發(fā)射激光器和所述測溫單元依次成排設(shè)置，所述金屬管帽罩設(shè)在面發(fā)射激光器和測溫單元上且與基板連接，所述面發(fā)射激光器和測溫元件通過所述接地電路接地。
進(jìn)一步地，在一些實(shí)施例的優(yōu)選方案中，所述面發(fā)射激光器設(shè)置有多個，多個所述面發(fā)射激光器成排設(shè)置；且沿多個所述面發(fā)射激光器排列方向，所述測溫單元設(shè)置在多個所述面發(fā)射激光器的一側(cè)。
進(jìn)一步地，在一些實(shí)施例的優(yōu)選方案中，所述測溫單元的尺寸小于等于所述面發(fā)射激光器的尺寸。
進(jìn)一步地，在一些實(shí)施例的優(yōu)選方案中，所述測溫單元到所述面發(fā)射激光器的距離在10um到50um之間。
進(jìn)一步地，在一些實(shí)施例的優(yōu)選方案中，所述面發(fā)射激光器的尺寸為 220um×200um×220um，所述測溫單元的尺寸為200um×200um×220um。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于昂納信息技術(shù)（深圳）有限公司，未經(jīng)昂納信息技術(shù)（深圳）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202220742811.9/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
