[實(shí)用新型]HIT異質(zhì)結(jié)太陽能電池用雙面沉積系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202220713659.1
• 申請(qǐng)日: 2022-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN217052395U
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范繼良
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 黃劍鳴
• 主分類號(hào): C23C16/50
• 分類號(hào): C23C16/50;C23C16/44;C23C16/455;H01L31/20
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 王志

本實(shí)用新型公開一種HIT異質(zhì)結(jié)太陽能電池用雙面沉積系統(tǒng)，其包括電離氣體的電離裝置及沉積鍍膜的沉積裝置，電離裝置包括電極板、布?xì)夂屑半娫?，電源的兩極分別對(duì)應(yīng)與電極板和布?xì)夂须娦赃B接，電極板與布?xì)夂械捻敳恐g的區(qū)域形成一封閉的電離輝光區(qū)；沉積裝置包括沉積箱、用于承載硅基板的基板治具及阻隔治具，沉積箱的頂部與布?xì)夂械牡撞繉?duì)接連通，阻隔治具的阻隔板的滑動(dòng)可覆蓋設(shè)于基板治具內(nèi)的基板的兩面，從而完成基板的雙面沉積鍍膜。本實(shí)用新型的電離裝置能有效避免等離子體攻擊沉積的薄膜表面，本實(shí)用新型的沉積裝置使得硅基板可在同一沉積裝置中進(jìn)行雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜。本實(shí)用新型鍍膜效率高，實(shí)用性強(qiáng)，非常適于廣泛推廣使用。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種PECVD沉積系統(tǒng)，尤其涉及一種用于對(duì)HIT異質(zhì)結(jié)太陽能電池的硅基板進(jìn)行雙面沉積的沉積系統(tǒng)。

背景技術(shù)

隨著經(jīng)濟(jì)建設(shè)的快速發(fā)展，微電子技術(shù)得到了迅猛的發(fā)展，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(英文全稱：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；簡(jiǎn)稱：PECVD)設(shè)備的開發(fā)和使用也日益廣泛。PECVD設(shè)備是利用高頻電源輝光放電，產(chǎn)生等離子體化學(xué)沉積的設(shè)備，由于等離子體的存在，從而降低沉積溫度。目前，PECVD設(shè)備廣泛的用于液晶顯示行業(yè)、太陽能電池行業(yè)、半導(dǎo)體器件及大規(guī)模集成電路的制造行業(yè)等。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)通常被用來在基板(例如用于平面面板顯示器的透明基板或半導(dǎo)體晶片)上沉積材料層。PECVD通常是通過導(dǎo)引前驅(qū)物氣體或氣體混合物進(jìn)入含有基板的真空腔室來完成，通過施加射頻給前驅(qū)物氣體或者氣體混合物使其被能量化(例如激發(fā))成等離子體，這些等離子體可以相互反應(yīng)或者與基底表面物質(zhì)反應(yīng)以便沉積成材料層。

目前現(xiàn)有的PECVD沉積系統(tǒng)通常采用將工件直接放置于電離輝光區(qū)內(nèi)進(jìn)行沉積的直接沉積方式。這種直接沉積的方式的沉積效率高，但薄膜均勻性不易控制，同時(shí)強(qiáng)大電場(chǎng)產(chǎn)生的等離子體會(huì)在薄膜沉積的過程中不斷的攻擊(即轟擊)工件的表面，從而導(dǎo)致沉積薄膜因?yàn)楸还舳a(chǎn)生嚴(yán)重缺陷，沉積質(zhì)量及性能受到嚴(yán)重的影響，甚至直接導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢處理。同時(shí)，現(xiàn)有的PECVD沉積系統(tǒng)通常都是對(duì)將工件放置于電離輝光區(qū)后，待沉積薄膜形成后在取出，沉積效率低，很難滿足現(xiàn)在工業(yè)發(fā)展的需求。

HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)異質(zhì)結(jié)太陽能電池采用非晶硅薄膜/單晶硅襯底異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，綜合了單晶硅和非晶硅太陽能電池的優(yōu)點(diǎn)，是充分發(fā)揮各自長(zhǎng)處的最佳設(shè)計(jì)。HIT異質(zhì)結(jié)太陽能電池既具有晶體硅太陽能電池的高效率和高穩(wěn)定性，同時(shí)由于制備過程中不存在高溫過程，能耗小，工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，因此，HIT異質(zhì)結(jié)太陽能電池還具有比單晶硅電池更好的溫度特性，在高溫下也能有較高的輸出。因此，HIT異質(zhì)結(jié)太陽能電池作為高效率、低成本的太陽能電池，近年來備受人們的關(guān)注，已經(jīng)成為太陽能電池的發(fā)展方向之一。目前HIT異質(zhì)結(jié)太陽能電池的硅基板通常采用PECVD來沉積A面的P－I層和B面的I－N層，硅基板的A面和B面是相對(duì)的兩側(cè)面。

目前需要對(duì)HIT異質(zhì)結(jié)太陽能電池的硅基板的兩面進(jìn)行沉積時(shí)，需要將沉積好一面的硅基板移動(dòng)到另一沉積裝置中進(jìn)行另一面不同材質(zhì)的沉積，或者是等待基板完全沉積好一面后取出翻面在重新放入，再通以另一氣體進(jìn)行另一面的沉積。最為常規(guī)的方式是，第一次在硅基板的一面沉積P－I層，第二次將沉積有P－I層的硅基板拿出來翻面在重新放入沉積箱內(nèi)完成另一面沉積I－N層。因此，無論采用何種沉積方式和手段，都是需要對(duì)硅基板進(jìn)行轉(zhuǎn)移才能沉積其兩面，需要反復(fù)的進(jìn)行重復(fù)性的操作，沉積效率低且操作繁瑣。

因此，亟需一種既能有效避免等離子體攻擊沉積的薄膜表面，又能使得硅基板可在同一沉積裝置中進(jìn)行雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜的沉積系統(tǒng)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種HIT異質(zhì)結(jié)太陽能電池用雙面沉積系統(tǒng)，該HIT異質(zhì)結(jié)太陽能電池用雙面沉積系統(tǒng)，既能有效避免等離子體攻擊沉積的薄膜表面，又能使得硅基板可在同一沉積裝置中進(jìn)行雙面等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積鍍膜。