[實用新型]一種新型可反向導通氮化鎵功率器件

有效

• 申請號: 202220251472.4
• 申請日: 2022-02-07
• 公開（公告）號: CN216849941U
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 傅玥;孔令濤
• 申請（專利權）人: 南京芯干線科技有限公司
• 主分類號: H01L25/18
• 分類號: H01L25/18;H01L23/367;H01L23/49;H01L23/02
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 趙艷芳

本實用新型公開了一種新型可反向導通氮化鎵功率器件，包括框架，框架的一端設有若干個門極以及開爾文源極，框架的另一端設有漏極；散熱板，散熱板設于框架上；氮化鎵芯片，氮化鎵芯片設于散熱板上，其中包括源極打線盤、漏極打線盤以及若干個門極打線盤，源極打線盤與開爾文源極相連，漏極打線盤與漏極相連，門極打線盤與門極相連；二極管，二極管設于散熱板上，二極管設有陰極打線盤，陰極打線盤與漏極相連。本實用新型能夠縮短并聯器件之間的導線長度，從而減小因為PCB走線帶來的寄生電阻和電感，避免影響整個模塊的性能。

技術領域

本實用新型涉及功率半導體器件技術領域，具體涉及一種新型反向導通氮化鎵功率器件。

背景技術

作為第三代半導體材料，氮化鎵功率器件具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、抗輻射能力強、化學性質穩定和功率密度高等優點，可以實現更高的開關頻率，更高的系統效率和功率密度；相較于硅而言，氮化鎵半導體能夠承受更強的電流和更高的電壓。

在實際應用中，由于氮化鎵芯片反向導通時的損耗較大卻沒有體二極管來降低損耗，因此需要并聯一個二極管，如圖3所示，降低氮化鎵芯片反向導通時的功率損耗，同時讓電流從器件的源極流向漏極。然而現有的技術是通過PCB 板把二極管連接到氮化鎵芯片上，這樣導致氮化鎵芯片和二極管之間存在較長的導線，容易在電路中產生寄生參數，從而影響到整個模塊的性能。

因此，目前亟需一種能夠減小電路因導線較長而產生寄生參數的氮化鎵功率器件。

實用新型內容

為此，本實用新型所要解決的技術問題在于克服現有技術中導線較長引起的寄生參數。

為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種新型反向導通氮化鎵功率器件，包括：

框架，所述框架的一端設有若干個門極以及開爾文源極，所述框架的另一端設有漏極；

散熱板，所述散熱板設于框架上；

氮化鎵芯片，所述氮化鎵芯片設于散熱板上，其中包括源極打線盤、漏極打線盤以及若干個門極打線盤，所述源極打線盤與開爾文源極相連，所述漏極打線盤與漏極相連，所述門極打線盤與門極相連；

二極管，所述二極管設于散熱板上，所述二極管上設有陰極打線盤，所述陰極打線盤與漏極相連；

其中，通過將氮化鎵芯片、二極管以及散熱板封裝于框架內，形成氮化鎵功率器件。

作為本實用新型的一種優選方式，所述門極打線盤的數量與門極的數量一致，每個門極打線盤與一個門極相連。

作為本實用新型的一種優選方式，所述氮化鎵芯片的源極與二極管的陽極通過散熱板相連。

作為本實用新型的一種優選方式，所述源極打線盤通過引線與開爾文源極相連。

作為本實用新型的一種優選方式，所述門極打線盤通過引線與門極相連。

作為本實用新型的一種優選方式，所述漏極打線盤通過多根引線與漏極相連。

作為本實用新型的一種優選方式，所述陰極打線盤通過引線與漏極相連。

作為本實用新型的一種優選方式，所述氮化鎵芯片的漏極打線盤與二極管的陰極打線盤通過漏極相連。

作為本實用新型的一種優選方式，所述氮化鎵芯片的源極及襯底與散熱板共用。

作為本實用新型的一種優選方式，所述氮化鎵芯片以及二極管與散熱板固定連接。

本實用新型的上述技術方案相比現有技術具有以下優點：