[實用新型]一種紫外線照射裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202220250842.2 | 申請日: | 2022-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN216849866U | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張志劼;龔薈卓 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295 | 代理人: | 鐘玉敏 |
| 地址: | 201315*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紫外線 照射 裝置 | ||
本實用新型提供了一種紫外線照射裝置,用于對晶圓的表面進行照射,包括:燈箱,所述燈箱具有一內(nèi)腔,且所述燈箱的一面具有貫通所述內(nèi)腔的通孔;環(huán)形燈組,位于所述內(nèi)腔中,包括至少一個面向所述通孔的紫外燈管,所有所述紫外燈管至少構(gòu)成一個環(huán)形。由于所述環(huán)形燈組各處發(fā)出的紫外線的強度均勻,使用所述環(huán)形燈組對晶圓上的氮化硅膜層進行照射,使所述氮化硅膜層應(yīng)力具有良好的均勻性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其涉及一種紫外線照射裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中常用紫外線對膜層進行處理,例如,采用紫外線照射化學(xué)氣相沉積形成的氮化硅膜層以進行應(yīng)力調(diào)整、低介電常數(shù)材料的性能改善以及干法刻蝕后膜層的損傷修復(fù)等。例如:高應(yīng)力氮化硅沉積設(shè)備在晶圓上生成氮化硅膜層后,會通過紫外線照射裝置對氮化硅薄膜進行紫外線照射,以改善氮化硅薄膜的應(yīng)力,形成高應(yīng)力氮化硅薄層。但現(xiàn)有的紫外線照射裝置存在紫外線強度不均勻的問題,會影響氮化硅膜層應(yīng)力的均勻性,進而影響半導(dǎo)體器件的良率。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種紫外線照射裝置,提高氮化硅膜層應(yīng)力的均勻性。
為了達到上述目的,本實用新型提供了一種紫外線照射裝置,用于對晶圓的表面進行照射,包括:
燈箱,所述燈箱具有一內(nèi)腔,且所述燈箱的一面具有貫通所述內(nèi)腔的通孔;環(huán)形燈組,位于所述內(nèi)腔中,包括至少一個面向所述通孔的紫外燈管,所有所述紫外燈管至少構(gòu)成一個環(huán)形。
可選的,所述紫外線照射裝置還包括:
燈罩,所述燈罩可拆卸安裝在所述通孔內(nèi)。
可選的,所述環(huán)形燈組包括至少一個環(huán)形的所述紫外燈管,當(dāng)所述紫外燈管具有至少兩個時,所有所述紫外燈管構(gòu)成同心圓環(huán)。
可選的,所述紫外線照射裝置還包括:
燈架,用于支撐所述紫外燈管。
可選的,所述環(huán)形燈組包括至少兩個圓弧形的所述紫外燈管,所有所述紫外燈管沿周向均勻分布。
可選的,所述紫外線照射裝置還包括:
燈架,用于支撐所述紫外燈管并驅(qū)動所有所述紫外燈管同步旋轉(zhuǎn)。
可選的,所述紫外燈管的旋轉(zhuǎn)中心與所述通孔的中心等高。
可選的,每個所述紫外燈管的功率均相同。
可選的,所述紫外線照射裝置還包括:
晶圓支撐架,位于所述燈箱外,且設(shè)置于所述燈箱具有所述通孔一面的外壁上,且所述晶圓支撐架的上表面低于所述通孔的下邊緣。
可選的,所述晶圓具有相對的正面和背面,所述晶圓的正面形成有氮化硅薄膜,所述晶圓的背面放置在所述晶圓支撐架上。
本實用新型提供了一種紫外線照射裝置,用于對晶圓的表面進行照射,所述紫外線照射裝置包括:燈箱,所述燈箱具有一內(nèi)腔,且所述燈箱的一面具有貫通所述內(nèi)腔的通孔;環(huán)形燈組,位于所述內(nèi)腔中,包括至少一個面向所述通孔的紫外燈管,所有所述紫外燈管至少構(gòu)成一個環(huán)形。由于所述環(huán)形燈組各處發(fā)出的紫外線的強度均勻,使用所述環(huán)形燈組對晶圓上的氮化硅膜層進行照射,使所述氮化硅膜層應(yīng)力具有良好的均勻性。
附圖說明
圖1為一種紫外線照射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為圖1所示紫外線照射裝置照射后的晶圓上氮化硅膜層的應(yīng)力分布圖像;
圖3為本實用新型實施例一提供的一種紫外線照射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本實用新型實施例一提供的一種紫外線照射裝置的側(cè)視圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





