[實用新型]顯示裝置有效
| 申請號: | 202220246554.X | 申請日: | 2022-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN217158194U | 公開(公告)日: | 2022-08-09 |
| 發明(設計)人: | 李珍淑;戎野浩平;李宗珉;梁容豪 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/15;H01L51/56;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括:
基底,包括:
開口區域;
周邊區域,鄰近于所述開口區域;和
顯示區域,鄰近于所述周邊區域;
半導體層,與所述顯示區域重疊,設置在所述基底上,并且包括溝道;
柵極電極,與所述半導體層的所述溝道重疊;
絕緣層,設置在所述柵極電極上;
第一電極,設置在所述絕緣層上;
發射層,設置在所述第一電極上;以及
第二電極,設置在所述發射層上,
其中,所述絕緣層在開口區中部分斷開,在所述周邊區域中所述發射層和所述第二電極在所述開口區中斷開。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述絕緣層包括雙層結構,并且
所述絕緣層的上層在所述開口區中被去除。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,
所述絕緣層的所述上層的端部對應于所述發射層的端部或所述第二電極的端部,
所述絕緣層的下層包括氧化硅,并且
所述絕緣層的所述上層包括氮化硅。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其特征在于,
所述絕緣層的所述下層連續地設置在所述開口區中。
5.根據權利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,
所述周邊區域包括:
第一周邊區域,包括所述開口區;以及
第二周邊區域,包括環島部分,并且
數據線設置在所述絕緣層上并且在所述環島部分周圍迂回。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,
穿透所述顯示面板的所述開口區域設置在所述第一周邊區域中,并且
所述顯示裝置還包括設置在所述開口區域中的相機。
7.根據權利要求5所述的顯示裝置,其特征在于,
所述第一周邊區域包括至少一個壩,并且
所述壩具有環形形狀。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其特征在于,
所述開口區設置在所述壩的兩側。
9.根據權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述開口區與鄰近于所述顯示區域的所述周邊區域之間的厚度差為300nm至500nm。
10.根據權利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,
所述絕緣層的所述上層的厚度為20nm至100nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





