[實用新型]影像感測元件有效
| 申請號: | 202220102473.2 | 申請日: | 2022-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN216698366U | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發明(設計)人: | 范辰瑋 | 申請(專利權)人: | 神盾股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 關志琨 |
| 地址: | 中國臺灣新竹市東區慈云路*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 元件 | ||
1.一種影像感測元件,其特征在于,包括:
影像傳感器,具有多個排成陣列的子像素;
彩色濾光單元組,配置于所述影像傳感器上方,具有多個第一濾光單元及多個第二濾光單元,所述多個第一濾光單元及所述多個第二濾光單元的每一個在光路上分別與一個子像素對應,其中所述多個第一濾光單元的中心穿透波長大于所述多個第二濾光單元的中心穿透波長;
光線偏折單元組,配置于所述彩色濾光單元組與所述影像傳感器之間,且具有多個第一光線偏折單元,其中所述多個第一光線偏折單元的折射率大于所述多個第二濾光單元與對應的多個子像素之間的介質的折射率,且所述多個第一光線偏折單元在光路上分別與所述多個第一濾光單元對應;以及
間隔元件,配置于所述影像傳感器與所述光線偏折單元組之間,
其中,來自外界的光在經過所述多個第一濾光單元及所述多個第二濾光單元后,分別被所述多個第一光線偏折單元偏折至及被所述介質傳遞至對應的多個子像素。
2.根據權利要求1所述的影像感測元件,其特征在于,所述彩色濾光單元組更具有多個第三濾光單元,所述多個第一濾光單元、所述多個第二濾光單元及所述多個第三濾光單元在光路上分別與所述多個子像素對應,所述多個第二濾光單元的中心穿透波長大于所述多個第三濾光單元的中心穿透波長,所述光線偏折單元組更具有多個第二光線偏折單元及多個第三光線偏折單元,所述多個第一光線偏折單元的折射率大于所述多個第二光線偏折單元的折射率,所述多個第二光線偏折單元的折射率大于所述多個第三光線偏折單元的折射率,且所述多個第一光線偏折單元、所述多個第二光線偏折單元及所述多個第三光線偏折單元在光路上分別與所述多個第一濾光單元、所述多個第二濾光單元及所述多個第三濾光單元對應,來自外界的光在經過所述多個第一濾光單元、所述多個第二濾光單元及所述多個第三濾光單元后,分別被所述多個第一光線偏折單元、所述多個第二光線偏折單元及所述多個第三光線偏折單元偏折至對應的所述多個子像素。
3.根據權利要求2所述的影像感測元件,其特征在于,在偏離所述影像感測元件的中央處,所述多個第一濾光單元、所述多個第二濾光單元及所述多個第三濾光單元相對于對應的所述多個子畫素往所述影像傳感器的中央偏移。
4.根據權利要求3所述的影像感測元件,其特征在于,所述多個第一光線偏折單元、所述多個第二光線偏折單元及所述多個第三光線偏折單元對準對應的所述多個子像素,且所述多個第一濾光單元、所述多個第二濾光單元及所述多個第三濾光單元相對于對應的所述多個第一光線偏折單元、所述多個第二光線偏折單元及所述多個第三光線偏折單元往所述影像傳感器的中央偏移。
5.根據權利要求2所述的影像感測元件,其特征在于,還包括透鏡陣列,包括多個排成陣列的透鏡,所述多個透鏡分別配置于所述多個第一濾光單元、所述多個第二濾光單元及所述多個第三濾光單元上。
6.根據權利要求2所述的影像感測元件,其特征在于,所述多個第一濾光單元為紅色濾光單元,所述多個第二濾光單元為綠色濾光單元,且所述多個第三濾光單元為藍色濾光單元。
7.根據權利要求1所述的影像感測元件,其特征在于,所述光線偏折單元組的厚度與所述彩色濾光單元組的厚度的比值是落在0.8至38的范圍內。
8.一種影像感測元件,其特征在于,包括:
影像傳感器,具有多個排成陣列的子像素;
彩色濾光單元組,配置于所述影像傳感器上方,且具有多個第一濾光單元及多個第二濾光單元,所述多個第一濾光單元及所述多個第二濾光單元的每一個在光路上分別與一個子像素對應,其中所述多個第一濾光單元的中心穿透波長大于所述多個第二濾光單元的中心穿透波長,且所述多個第一濾光單元的折射率大于所述多個第二濾光單元的折射率;以及
間隔元件,配置于所述影像傳感器與所述彩色濾光單元組之間,
其中,來自外界的光在經過所述多個第一濾光單元及所述多個第二濾光單元后,分別偏折至對應的多個子像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





