[實用新型]一種臭氧發生裝置

有效

• 申請號: 202220049634.6
• 申請日: 2022-01-10
• 公開（公告）號: CN216808145U
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 丁香鵬;仉佃儀
• 申請（專利權）人: 青島國林環保科技股份有限公司
• 主分類號: C01B13/11
• 分類號: C01B13/11
• 代理公司: 青島聯智專利商標事務所有限公司 37101
• 代理人: 張福華

本實用新型公開一種臭氧發生裝置，包括放電室、高電壓電極、低電壓電極；所述放電室為絕緣容器，包括第一入口、第一出口及相對的第一側壁、第二側壁；所述第一側壁與所述第二側壁之間的空間用于充滿反應氣體；所述第一入口用于通入所述反應氣體；所述第一出口用于通出所述反應氣體；所述高電壓電極為導電金屬電極，設置在所述第一側壁上，位于所述放電室的外側；所述低電壓電極為導電金屬電極，設置在所述第二側壁上，位于所述放電室的外側。本實用新型將高、低電壓金屬電極設置在放電室的外側，使放電室內的反應氣體不接觸金屬電極，從而避免反應氣體中由于放電反應混入金屬離子，提高反應氣體的潔凈度，進而提高半導體產品生產的成品率。

技術領域

本實用新型屬于臭氧發生設備技術領域，具體地說，是涉及一種臭氧發生裝置。

背景技術

隨著半導體制程技術的飛速發展，芯片線寬已經進入納米級。相應的，對半導體產品生產設備、工藝材料、生產環境的要求也越來越高。雜質對半導體的特性有著改變或破壞其性能的作用，而雜質各式各樣，如金屬離子會破壞半導體器件的導電性能，塵埃粒子破壞半導體器件的表面結構等，所以在半導體器件生產過程中對雜質必須嚴格控制。

半導體生產需要在潔凈廠房進行，據統計，在無潔凈級別的要求的環境下生產MOS電路管芯的合格率10%~15%，64位儲存器的合格率僅2%。目前在精密機械、半導體、宇航、原子能等工業中應用潔凈室已相當普遍，潔凈室系統為整條生產線提供潔凈的環境，是硅芯片賴以生產加工基本的條件。

除了潔凈廠房外，水的使用也限用為去離子水 (DI water, de-ionized water)。一則防止水中粉粒污染晶圓，二則防止水中重金屬離子，如鉀、鈉離子污染金氧半 (MOS)晶體管結構之帶電載子信道 (carrier channel)，影響半導體組件的工作特性。去離子水以電阻率 (resistively) 來定義好壞，一般要求至17.5MΩ-cm以上才算合格；為此需動用多重離子交換樹脂、RO逆滲透、與UV紫外線殺菌等重重關卡，才能放行使用。

潔凈室所有用得到的氣源，包括吹干晶圓及機臺所需要的98%純氮氣，吹干晶圓的氮氣甚至要求99.8%以上的高純氮氣。

還包括半導體生產中多個工藝用到的臭氧氣體。要求臭氧氣體超潔凈，不含金屬離子等雜質，生產臭氧使用的原料氧氣純度要求達到99.9995%以上，相應的對臭氧生產設備潔凈度也有極高的要求。半導體制程越高對純度要求高，比如10 納米節點，對顆粒和雜質的要求比其他任何專業都高 1000 倍以上。

目前的臭氧生產設備多數采用金屬電極棒，直接與氧氣和臭氧接觸的方式，使生產的臭氧氣中含有大量金屬離子，不能滿足半導體高制程工藝的需要。

發明內容

本實用新型提供一種臭氧發生裝置，可生成不含金屬離子的高潔凈度的臭氧氣體，提高半導體產品的成品率。

為解決上述技術問題，本實用新型采用以下技術方案予以實現：

一種臭氧發生裝置，包括放電室、高電壓電極、低電壓電極；

所述放電室為絕緣容器，包括第一入口、第一出口及相對的第一側壁、第二側壁；所述第一側壁與所述第二側壁固定連接，其之間的空間用于充滿反應氣體；所述第一入口用于通入所述反應氣體；所述第一出口用于通出所述反應氣體；

所述高電壓電極為導電金屬電極，設置在所述第一側壁上，位于所述放電室的外側；

所述低電壓電極為導電金屬電極，設置在所述第二側壁上，位于所述放電室的外側。

在一實施例中，所述放電室為環形；所述第一側壁為圓筒；所述高電壓電極設置在所述第一側壁的內側；

所述第二側壁為直徑大于所述第一側壁的直徑的圓筒，其套裝于所述第一側壁的外側；所述低電壓電極設置在所述第二側壁的外側。