[發明專利]一種圖像傳感器及其制造方法

在審

• 申請號: 202211672451.0
• 申請日: 2022-12-26
• 公開（公告）號: CN115763515A
• 公開（公告）日: 2023-03-07
• 發明（設計）人: 李巖;范春暉;趙慶賀;夏小峰;劉正
• 申請（專利權）人: 合肥海圖微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海漢之律師事務所 31378
• 代理人: 馮華

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中設置有淺槽隔離結構，且所述襯底被所述淺槽隔離結構分隔出多個有源區；

柵極結構，設置在所述襯底上；

多個金屬層，堆疊在所述柵極結構上；

像素陣列結構，設置在所述襯底上；

多個導電栓塞，一端連接于所述柵極結構或所述淺槽隔離結構或所述有源區，另一端連接于所述金屬層；以及

多個導熱栓塞，連接于所述金屬層，所述導熱栓塞朝靠近所述襯底的方向延伸，且所述導熱栓塞在所述襯底上的正投影位于所述有源區內。

2.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器，其特征在于，所述淺槽隔離結構包括導熱部，所述導熱部設置在所述襯底中，且所述導熱部連接于部分所述導電栓塞。

3.根據權利要求2所述的一種圖像傳感器，其特征在于，所述淺槽隔離結構包括隔離層，所述隔離層設置于所述襯底中，且所述隔離層包覆所述導熱部。

4.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器，其特征在于，所述金屬層和所述柵極結構之間設置有多個介質層，且相鄰的所述介質層之間設置有散熱層。

5.根據權利要求4所述的一種圖像傳感器，其特征在于，所述導熱栓塞設置在靠近所述柵極結構的所述金屬層上。

6.根據權利要求5所述的一種圖像傳感器，其特征在于，所述導熱栓塞的一端穿過所述介質層和所述散熱層連接。

7.根據權利要求4所述的一種圖像傳感器，其特征在于，所述散熱層為金剛石、碳化硅、石墨烯或金屬材料中的至少一種。

8.根據權利要求4所述的一種圖像傳感器，其特征在于，所述導熱栓塞連接于所述散熱層。

9.根據權利要求1所述的一種圖像傳感器，其特征在于，與所述柵極結構相鄰的所述金屬層連接于所述像素陣列結構的多個像素單元。

10.一種圖像傳感器的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一像素陣列結構和襯底，并在所述襯底中形成淺槽隔離結構，其中所述襯底被所述淺槽隔離結構分隔出多個有源區；

在所述襯底上形成柵極結構；

在所述柵極結構上堆疊形成多個金屬層，且部分所述金屬層連接于所述像素陣列結構；

在所述金屬層和所述柵極結構之間，或所述金屬層和所述淺槽隔離結構之間，或所述金屬層和有源區之間形成導電栓塞；

在形成所述金屬層的同時，形成導熱栓塞，所述導熱栓塞連接于所述金屬層，且所述導熱栓塞朝靠近所述襯底的方向延伸，其中所述導熱栓塞在所述襯底上的正投影位于所述有源區內。