[發明專利]一種半導體封裝結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202211666410.0
• 申請日: 2022-12-23
• 公開（公告）號: CN115863192A
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發明（設計）人: 張坤
• 申請（專利權）人: 吉光半導體（紹興）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/50;H01L23/367;H01L23/15;H01L23/488
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭星

1.一種半導體封裝結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一種散熱底板，在所述散熱底板上形成阻焊層，所述阻焊層在所述散熱底板上圍成至少一個DBC基板輪廓；

在每個所述DBC基板輪廓中涂覆錫膏，并在所述DBC基板輪廓中置入一個所述DBC基板，還在每個所述DBC基板上放置至少一個芯片，所述DBC基板上涂覆有用于連接所述芯片的錫膏；以及

通過回流焊工藝熔化錫膏，以將所述DBC基板和芯片連接，還將所述DBC基板和散熱底板連接，從而形成半導體封裝結構。

2.如權利要求1所述的半導體封裝結構的制備方法，其特征在于，形成所述阻焊層的方法包括：

將油墨通過絲網印刷至所述散熱底板上，并經過UV曝光使得油墨固化于所述散熱底板上，從而形成阻焊層，其中，所述阻焊層所用印刷絲的網目數為200目～300目，阻焊油墨厚度為10μm～30μm。

3.如權利要求1所述的半導體封裝結構的制備方法，其特征在于，所述DBC基板輪廓的形狀與所述DBC基板的形狀相同，且所述DBC基板輪廓和DBC基板之間存在間隙。

4.如權利要求3所述的半導體封裝結構的制備方法，其特征在于，所述DBC基板輪廓和DBC基板之間的間隙為100μm～200μm。

5.如權利要求1所述的半導體封裝結構的制備方法，其特征在于，回流焊工藝之后，還包括：

對所述半導體封裝結構進行清潔處理。

6.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括散熱底板，所述散熱底板上形成有阻焊層，所述阻焊層在所述散熱底板上圍成至少一個DBC基板輪廓，在所述散熱底板的每個所述DBC基板輪廓中焊接有一DBC基板，在每個所述DBC基板上焊接有至少一個芯片。

7.如權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述阻焊層包括至少四個第一圖形結構，每四個所述第一圖形結構在所述散熱底板上圍成一個DBC基板輪廓，所述第一圖形結構用于對所述DBC基板的一角進行限位。

8.如權利要求7所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述阻焊層還包括至少兩個第二圖形結構，所有所述第一圖形結構和第二圖形結構在所述散熱底板上圍成至少兩個DBC基板輪廓，所述第二圖形結構用于對相鄰兩個所述DBC基板的一角進行限位。

9.如權利要求8所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述散熱底板上具有一軸線，四個所述第一圖形結構均勻分布在所述軸線的兩側，使得所述軸線的每側具有兩個所述第一圖形結構，且每個所述第一圖形結構均與所述軸線另一側的一個所述第一圖形結構正對設置，同側設置的兩個所述第一圖形結構之間間隔設置有至少一個所述第二圖形結構，以圍成至少兩個DBC基板輪廓。

10.如權利要求7或8所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述阻焊層還包括多個第三圖形結構，所述第三圖形結構位于相鄰的兩個所述第一圖形結構之間、相鄰的所述第一圖形結構和第二圖形結構之間、以及相鄰的兩個第二圖形結構之間。

11.如權利要求10所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一圖形結構呈字母L狀，所述第二圖形結構呈字母T狀，所述第三圖形結構呈一字型。

12.如權利要求11所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一圖形結構由第一部分和第二部分組成，所述第一部分和第二部分為相互垂直連接的直線段，在所述第一部分和第二部分的連接處具有第一保護角，所述第一保護角用于保護所述第一圖形結構限位的所述DBC基板的一角。

13.如權利要求11所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第二圖形結構由第三部分和第四部分組成，所述第三部分和第四部分均為直線段，所述第四部分的一端與所述第三部分的中間位置垂直連接，使得所述第二圖形結構具有兩個第二保護角，每個所述第二保護角用于保護所述第二圖形結構限位的一個所述DBC基板的一角。