[發(fā)明專利]一種氧化銦基MEMS丙酮氣體傳感器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202211657404.9 | 申請日: | 2022-12-22 |
| 公開(公告)號: | CN116381212A | 公開(公告)日: | 2023-07-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 榮錢;楊正;劉小龍;童顏;馬宏 | 申請(專利權)人: | 中山大學 |
| 主分類號: | G01N33/497 | 分類號: | G01N33/497;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京子焱知識產權代理事務所(普通合伙) 11932 | 代理人: | 湯玉輝 |
| 地址: | 510000 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化 mems 丙酮 氣體 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種氧化銦基MEMS丙酮氣體傳感器,包括封裝底座(1),其特征在于,所述封裝底座(1)的上端固定連接有保護殼(2),所述封裝底座(1)的內側開設有安裝槽,所述安裝槽的內側安裝有敏感芯片(4),所述安裝槽的上端安裝有防水透氣膜(3),所述保護殼(2)的上端開設有透氣孔(5)。
2.一種氧化銦基MEMS丙酮氣體傳感器的制備方法,用于制作權利要求1所述的一種氧化銦基MEMS丙酮氣體傳感器,包括以下步驟:
敏感材料制備(S1):通過鉑金雙金屬摻雜合成穩(wěn)定的氧化銦納米材料;
敏感芯片制備(S2):將敏感材料制備成漿料并加載到MEMS微加熱芯片上形成敏感核心;
傳感器制備(S3):制備抗干擾過濾層,并對芯片進行封裝形成氣體傳感器;
所述敏感材料制備(S1)制備的步驟包括:混合溶液制備、水熱、超聲溶解、PH值調節(jié)、還原反應、離心清洗、退火。
3.根據權利要求2所述的一種氧化銦基MEMS丙酮氣體傳感器的制備方法,其特征在于,所述混合溶液制備的方法為用天平稱2mmol的四水氯化銦、0.4g的硫酸鈉和2mmol的檸檬酸一起放在一個50ml燒杯中再放入三十毫升的去離子水,然后稱取4mml碳酸氫銨加入溶液中,用攪拌器激烈混勻半個小時,所述水熱的方法為將混勻介質移動至50ml的聚四氟乙烯反應釜內,水熱140℃八個小時,所述超聲溶解的步驟為:首先取0.2g的氧化銦納米球溶解在50ml超純水中,超聲十分鐘,然后稱取0.0516g的四水合氯金酸和0.0384g的硝酸鈀固體溶解超聲在10ml超純水中,超聲十幾分鐘使氯酸金和硝酸鈀能夠均勻分布溶液中,從超聲溶解后的溶液中取出1ml溶液緩慢滴入含有氧化銦的溶液,攪拌一個小時。
4.根據權利要求3所述的一種氧化銦基MEMS丙酮氣體傳感器的制備方法,其特征在于:所述PH值調節(jié)的方法為:用氨水調節(jié)混合溶液pH值到10左右,再攪拌半個小時以上,所述還原反應的步驟為:首先稱取0.3783g的硼氫化鈉溶解到20ml超純水中配成硼氫化鈉溶液,然后用膠頭滴管吸取2ml其溶液緩慢滴加到正在攪拌的混合溶液中,滴完后應繼續(xù)攪拌半小時以上使氯酸金充分還原反應,所述離心清洗的方法為:將水熱后的溶液自然冷卻至適當溫度后,將真空反應釜的溶劑和沉積物遷移到燒杯中,然后加入一定量無水乙醇會觀察到溶液變的乳白色渾濁,靜置后用無水乙醇離心清洗三次,所述退火的方法為:將離心清洗后的溶液放置烘箱中70℃十二小時烘干,烘干的固體經過研磨后置于馬弗爐中500℃退火兩個小時。
5.根據權利要求2所述的一種氧化銦基MEMS丙酮氣體傳感器的制備方法,其特征在于:所述敏感芯片制備(S2)的制備步驟為:將烘干后的納米材料需要經行研磨配置成一定濃度的漿料,稱取研磨后的粉末0.2g加入到瑪瑙球磨罐中,加入吐溫20-0.5mL:乙醇5mL混合溶劑球磨1h,球磨后,利用吸管取出混合漿料到燒杯中,真空干燥箱中60℃下烘干揮發(fā)性溶劑,保留的非揮發(fā)性溶劑和納米材料形成混合漿料,將混合漿料均勻的涂布于MEMS基微加熱器中央的加熱區(qū)域,然后將涂布了敏感材料的微加熱器進行500℃的退火處理,退火時間為2h,升溫速度為1℃/min,自然冷卻。
6.根據權利要求2所述的一種氧化銦基MEMS丙酮氣體傳感器的制備方法,其特征在于:所述傳感器制備(S3)的步驟為:封裝采用過濾層結構,所述防水透氣膜(3)經過高錳酸鉀溶液處理,具體處理步驟為:將防水透氣膜浸泡在1mol/L的高錳酸鉀水溶液中,1min后取出并置于70℃下烘干,所述防水透氣膜(3)通過鏤空的雙面膠貼附于保護殼(2)的下方,所述封裝底座(1)的內側設置有微加熱器,所述微加熱器退火后經過固晶固定在傳感器底座上,所述封裝底座(1)、保護殼(2)經過金線綁定封裝敏感芯片(4)形成傳感器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中山大學,未經中山大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202211657404.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





