[發明專利]單晶金剛石層生長用基板以及單晶金剛石基板的制造方法

無效

• 申請號: 201010167218.8
• 申請日: 2010-04-23
• 公開（公告）號: CN101892521A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 野口仁
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: C30B29/04
• 分類號: C30B29/04;C30B25/02;H01L21/205
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 雒純丹

1.一種單晶金剛石層生長用基板，用于使單晶金剛石層生長，其特征在于，該單晶金剛石層生長用基板至少由材質為單晶金剛石的基材以及在該基材的前述單晶金剛石層生長側異質外延生長的銥膜或銠膜形成，并且前述基材的前述單晶金剛石層生長側的表面的周端部形成曲率半徑(r)≥50μm的倒角形。

2.如權利要求1所述的單晶金剛石層生長用基板，其特征在于，前述基材為圓形。

3.如權利要求1或2所述的單晶金剛石層生長用基板，其特征在于，前述材質為單晶金剛石的基材是高溫高壓合成單晶金剛石或氣相合成單晶金剛石。

4.如權利要求1-3任一項所述的單晶金剛石層生長用基板，其特征在于，前述基材的厚度為0.03mm以上15.00mm以下。

5.如權利要求1-4任一項所述的單晶金剛石層生長用基板，其特征在于，前述異質外延生長的銥膜或銠膜是通過濺射法在前述基材上異質外延生長的膜。

6.如權利要求1-5任一項所述的單晶金剛石層生長用基板，其特征在于，前述異質外延生長的銥膜或銠膜的厚度為～100μm。

7.一種單晶金剛石基板的制造方法，其特征在于，通過使單晶金剛石層在權利要求1～6任一項所述的單晶金剛石層生長用基板上進行生長，在銥膜或銠膜部分上剝離該生長的單晶金剛石層，從而形成單晶金剛石基板。

8.一種單晶金剛石基板的制造方法，其特征在于，通過使單晶金剛石層生長后進行剝離來制造單晶金剛石基板，其中，該方法使銥膜或銠膜在基材上異質外延生長，并使前述單晶金剛石層在該異質外延生長的銥膜或銠膜上進行生長，然后在前述銥膜或銠膜部分上剝離該生長的單晶金剛石層，從而形成單晶金剛石基板，所述基材為如下基材，即，其材質為單晶金剛石，并且前述單晶金剛石層生長側的表面的周端部形成曲率半徑(r)≥50μm的倒角形。

9.如權利要求8所述的單晶金剛石基板的制造方法，其特征在于，在前述異質外延生長的銥膜或銠膜的表面上進行偏壓處理，形成金剛石生長核，并在前述進行了偏壓處理的表面上，通過微波CVD法或直流等離子體CVD法使單晶金剛石層進行生長。