[發(fā)明專利]一種發(fā)火測試盒的自檢系統(tǒng)及其檢測方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211655389.4
• 申請日: 2022-12-22
• 公開（公告）號: CN115823974A
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱奎;欽天力;張寧;俞周超;王加慶;潘之煒;趙先鋒;張永剛
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫盛景微電子股份有限公司
• 主分類號: F42C21/00
• 分類號: F42C21/00;F42C19/12
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司 32293
• 代理人: 顧陽

1.一種發(fā)火測試盒的自檢系統(tǒng)，其包括電容板，所述電容板上連接有MOS管，所述電容板與發(fā)火電阻連接以形成發(fā)火電路，其特征在于：其還包括模擬電路、采樣電路、控制電路；

所述模擬電路，連接于所述發(fā)火電路與所述控制電路之間，用于根據(jù)所述控制電路的輸出信號向所述發(fā)火電路發(fā)出對應(yīng)的發(fā)火模擬操作信號；

所述采樣電路，連接于所述發(fā)火電路與所述控制電路之間，用于根據(jù)相應(yīng)的發(fā)火模擬操作，將采樣獲得所述發(fā)火電路輸出的相應(yīng)電壓信號傳送給所述控制電路；

所述控制電路，用于根據(jù)所述采樣電路輸出的電壓信號以確定所述發(fā)火電路內(nèi)阻阻值、所述電容板上的電容值以及所述MOS管的好壞。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)火測試盒的自檢系統(tǒng)，其特征在于：所述模擬電路包括依次連接的切換模塊、開關(guān)模塊和恒流源模塊，所述切換模塊、開關(guān)模塊均連接于所述控制電路，所述切換模塊與所述發(fā)火電路相連接；所述模擬電路包括繼電器K1、恒流源U1、電容C1、MOS管Q1、Q2、Q3、電阻R1～R7。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)火測試盒的自檢系統(tǒng)，其特征在于：所述電容板J1采用的插接電容板，所述電容板J1上連接的所述MOS管包括MOS管Q4、Q5、Q6；所述發(fā)火電路還包括發(fā)火電阻接口XH1、電阻R8～R11。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)火測試盒的自檢系統(tǒng)，其特征在于：所述采樣電路包括放大器U2、模數(shù)轉(zhuǎn)換器U3、電阻R12～R17、電容C2～C6；所述控制電路包括控制器U4、電阻R18～R20、電容C7～C11、晶振Y1；所述控制器U4采用型號STM32F103C8T6控制芯片。

5.一種發(fā)火測試盒的自檢系統(tǒng)的檢測方法，其特征在于：包括如權(quán)利要求1～4任一所述的一種發(fā)火測試盒的自檢系統(tǒng)，所述檢測方法還包括：

控制電路發(fā)送自檢信號至模擬電路，通過恒流源模塊為電容板充電以獲得電容板上電容容量值；

將所述發(fā)火電路短路，且所述控制電路控制輸出為發(fā)火狀態(tài)時，所述控制電路根據(jù)采樣電路采樣獲得的輸出電壓，以確定所述發(fā)火電路內(nèi)阻阻值；

將所述發(fā)火電路短路，且所述控制電路控制輸出為不發(fā)火狀態(tài)時，所述控制電路對所述采樣電路采樣獲得的輸出電壓進(jìn)行判斷，若輸出電壓在19V～20V之間，則所述電容板上的MOS管為良品，否則為不良品。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種發(fā)火測試盒的自檢系統(tǒng)的檢測方法，其特征在于：獲得所述電容板上電容容量值包括以下步驟：

S1.1、控制電路控制繼電器K1動作，以使得電容板接入模擬電路中；

S1.2、控制器U4控制MOS管Q3動作，以實現(xiàn)對所述電容板的放電；

S1.3、放電結(jié)束后，所述控制器U4控制MOS管Q2、Q1動作，以使得恒流源U1為所述電容板充電，從而可獲得所述電容板上電容容量值。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種發(fā)火測試盒的自檢系統(tǒng)的檢測方法，其特征在于：確定所述發(fā)火電路內(nèi)阻，包括以下步驟：

S2.1、所述控制器U4控制MOS管Q4、Q5、Q6動作，以使得所述電容板無效；

S2.2、所述控制器U4控制MOS管Q2、Q1動作，以使得恒流源U1為所述發(fā)火電路加電，并將所述發(fā)火電路短路，且所述控制器U4控制輸出為發(fā)火狀態(tài)，此時，所述控制器U4對采樣電路輸出的R-ADC端電壓進(jìn)行處理，以獲得所述發(fā)火電路內(nèi)阻阻值。