[發(fā)明專利]一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202211623738.4
• 申請(qǐng)日: 2022-12-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115867126A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王飛;常小宇;湛逍逍;李智囊;鐘怡;楊永暉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶中科渝芯電子有限公司
• 主分類號(hào): H10N97/00
• 分類號(hào): H10N97/00;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/58;C23C14/10;C23C14/06;C23C14/16
• 代理公司: 重慶信航知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50218
• 代理人: 孔垂?fàn)T

1.一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)在襯底介質(zhì)層(1)上利用反應(yīng)濺射淀積一層電阻薄膜層(2)和掩蔽層(3)；

2)通過(guò)干法刻蝕的方法去除電阻薄膜層(2)和掩蔽層(3)，形成電阻圖形；

3)利用光刻刻蝕工藝去除多余的掩蔽層(3)，保留端頭掩蔽層(3)；

4)在電阻圖形上淀積隔離層(4)，并在電阻端頭刻蝕形成連接孔；

5)進(jìn)行薄膜退火；

6)淀積金屬層(5)，填充連接孔，引出電阻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于：所述步驟1)薄膜電阻層(2)為含Cr的金屬薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于：所述含Cr的金屬薄膜為CrSi薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或者3所述的一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于：所述步驟1)中制備的電阻薄膜所采用的反應(yīng)濺射方式為：在常規(guī)加入Ar的濺射過(guò)程中加入N₂反應(yīng)濺射氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于：濺射氣體包括N₂和Ar：濺射氣體中N₂流量為10～100sccm，Ar流量為1～200sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于：在所述反應(yīng)濺射中濺射的腔室壓力為1～10mTorr，濺射功率為1000～2000W。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于：所述步驟1)中的掩蔽層(3)由具有高選擇比材料濺射得到，所述高選擇比材料包括Ti或TiW。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于：所述步驟4)中的隔離層(4)的材料為SiO₂或Si₃N₄。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于：所述步驟5)中薄膜退火采用常壓爐管退火，以穩(wěn)定薄膜電阻層膜質(zhì)，同時(shí)使薄膜的各原子能夠運(yùn)動(dòng)到更穩(wěn)定的位置，從而使薄膜電阻更加穩(wěn)定。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于：所述常壓爐管退火條件為溫度300～600℃，所用氣體N₂流量為1～20SLM，時(shí)間為20～60分鐘。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用反應(yīng)濺射和薄膜退火制作薄膜電阻的方法，其特征在于：所述步驟6)中的金屬層(5)的材料為導(dǎo)電金屬材料，所述金屬層(5)包括AlSiCu、Al或AlCu。