[發(fā)明專利]減少光刻膠使用量的方法及其應用

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• 申請日: 2022-12-15
• 公開（公告）號: CN116009359A
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設計）人: 余亮;高曉義
• 申請（專利權）人: 上海飛凱材料科技股份有限公司
• 主分類號: G03F7/16
• 分類號: G03F7/16;H01L21/768
• 代理公司: 華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 龍永丁

本發(fā)明提供了一種減少光刻膠使用量的方法，包括以下步驟：提供襯底，在所述襯底上形成第一光刻膠濕膜；加熱所述第一光刻膠濕膜，得到第一光刻膠層；通過第一印刷網(wǎng)版在所述第一光刻膠層上印刷，得到第二光刻膠濕膜；加熱所述第二光刻膠濕膜，得到第二光刻膠層，其中，所述第二光刻膠層具有開孔；以及對所述第二光刻膠層和所述第一光刻膠層的疊加區(qū)域通過光掩膜版進行對準曝光，然后顯影，以使顯影后的所述第二光刻膠層和顯影后的所述第一光刻膠層共同形成圖形化光刻膠層，其中，所述圖形化光刻膠層具有孔隙。本發(fā)明能夠減少光刻膠的使用量。本發(fā)明還提供了一種所述的減少光刻膠使用量的方法在半導體先進封裝制程中的應用。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造及光伏電池技術領域，特別是涉及一種減少光刻膠使用量的方法及其應用。

背景技術

在半導體制造以及光伏電池技術領域，經(jīng)常需要使用光刻膠。然而，由于光刻膠的成本較高，導致生產(chǎn)成本也較高。因此，減少光刻膠的使用量是目前降低生產(chǎn)成本的一種可行的方法。

在半導體先進封裝制程中，RDL(Re-Distribution?Layer)重布線層作為晶圓級封裝中的核心技術，起著XY平面電氣延伸和互聯(lián)的作用。其中，RDL重布線層的制備工藝為：先在襯底整面上涂布一層光刻膠并烘干，然后對烘干后的光刻膠進行曝光和顯影，以使光刻膠形成孔隙，最后通過電鍍在孔隙中形成一定厚度的銅線。其中，非曝光區(qū)的光刻膠作為保護層，防止在后續(xù)電鍍過程中電鍍液滲透。

然而，在上述制備RDL重布線層的工藝中，銅線占用整個襯底的面積不到30％，這意味著光刻膠實際發(fā)揮光刻作用的地方不足30％，其他非曝光區(qū)的光刻膠在電鍍過程只發(fā)揮阻擋作用，最后被簡單去除，這無疑會增加芯片的制造成本。同時，由于RDL重布線層中銅線的高度一般在5μm～10μm，對應涂布的光刻膠的厚度在10μm～15μm；更有Bμmp工藝中銅柱高度在40μm～80μm，對應涂布的光刻膠的厚度在60μm～100μm，這進一步增加了芯片的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明提供了減少光刻膠使用量的方法，所述方法在不影響光刻膠層的使用效果的前提下，能夠大幅度減少光刻膠的使用量，從而降低了生產(chǎn)成本。

本發(fā)明還提供了所述的減少光刻膠使用量的方法在半導體先進封裝制程中的應用，尤其是所述的減少光刻膠使用量的方法在RDL重布線層中的應用。

本發(fā)明提供了一種減少光刻膠使用量的方法，包括以下步驟：

提供襯底，在所述襯底上形成第一光刻膠濕膜；

加熱所述第一光刻膠濕膜，得到第一光刻膠層；

通過第一印刷網(wǎng)版在所述第一光刻膠層上印刷，得到第二光刻膠濕膜；

加熱所述第二光刻膠濕膜，得到第二光刻膠層，其中，所述第二光刻膠層具有開孔，部分所述第一光刻膠層暴露于所述開孔；以及

對所述第二光刻膠層和所述第一光刻膠層的疊加區(qū)域通過光掩膜版進行對準曝光，然后顯影，以使顯影后的所述第二光刻膠層和顯影后的所述第一光刻膠層共同形成圖形化光刻膠層，其中，所述圖形化光刻膠層具有孔隙，且部分所述襯底暴露于所述孔隙。

在本發(fā)明其中一些實施例中，所述方法包括以下(1)～(2)中的至少一項：

(1)所述第一光刻膠濕膜的厚度為8μm～10μm；

(2)所述第二光刻膠濕膜的厚度為30μm～50μm。

在本發(fā)明其中一些實施例中，所述方法包括以下(1)～(2)中的至少一項：

(1)加熱所述第一光刻膠濕膜具體包括以下步驟：

在所述襯底遠離所述第一光刻膠濕膜的一側(cè)對所述第一光刻膠濕膜進行烘烤；