[發(fā)明專利]一種毫米波寬頻段基片集成混合介質(zhì)諧振器天線

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202211601971.2
• 申請日: 2022-12-13
• 公開（公告）號: CN115995678A
• 公開（公告）日: 2023-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊汶汶;張杰邇;張勤芳;陳建新
• 申請（專利權(quán)）人: 南通大學(xué)
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/50;H01P7/10
• 代理公司: 北京新科華領(lǐng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 16115
• 代理人: 吳變變

1.一種毫米波寬頻段基片集成混合介質(zhì)諧振器天線，其特征在于，包括：

由上到下依次層疊設(shè)置的高介電常數(shù)的第一介質(zhì)基片、低介電常數(shù)的第二介質(zhì)基片及低介電常數(shù)的第三介質(zhì)基片；其中所述第一介質(zhì)基片與所述第二介質(zhì)基片通過第一粘接片粘接；所述第二介質(zhì)基片與所述第三介質(zhì)基片通過第二粘接片粘接；所述第二介質(zhì)基片的上表面中央印刷有金屬環(huán)貼片；所述第三介質(zhì)基片的上表面設(shè)置有金屬地平面，所述金屬地平面上刻蝕有饋電縫隙；所述第三介質(zhì)基片的下表面設(shè)置有微帶線；

其中所述第一介質(zhì)基片與所述第二介質(zhì)基片組成介質(zhì)諧振器以提供第一諧振模式及第四諧振模式，所述饋電縫隙作為縫隙諧振器以提供第二諧振模式，所述金屬環(huán)貼片作為金屬環(huán)貼片諧振器以提供第三諧振模式。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波寬頻段基片集成混合介質(zhì)諧振器天線，其特征在于：

第二介質(zhì)基片及第三介質(zhì)基片均為正方形，第二介質(zhì)基片及第三介質(zhì)基片的平面尺寸均為12mm×12mm且第二介質(zhì)基片高度與所述第三介質(zhì)基片的高度相等。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波寬頻段基片集成混合介質(zhì)諧振器天線，其特征在于：

所述饋電縫隙呈H型且饋電裂縫的中央裂縫與所述微帶線正交設(shè)置，所述饋電縫隙的中央縫隙長度為1.7mm，兩側(cè)縫隙長度均為0.4mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波寬頻段基片集成混合介質(zhì)諧振器天線，其特征在于：

所述金屬環(huán)貼片為正方環(huán)形，所述正方環(huán)形的外正方形尺寸為1mm×1mm，內(nèi)正方形尺寸為0.7mm×0.7mm，所述第一介質(zhì)基片的平面尺寸大于金屬環(huán)貼片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波寬頻段基片集成混合介質(zhì)諧振器天線，其特征在于：

所述第一諧振模式、所述第二諧振模式、所述第三諧振模式及所述第四諧振模式分別對應(yīng)工作頻率均不相同且依次提高。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波寬頻段基片集成混合介質(zhì)諧振器天線，其特征在于：

所述第一介質(zhì)基片為正方形，所述第一介質(zhì)基片的平面尺寸小于所述第二介質(zhì)基片及第三介質(zhì)基片且高度大于所述第二介質(zhì)基片及第三介質(zhì)基片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波寬頻段基片集成混合介質(zhì)諧振器天線，其特征在于：

所述第一粘接片及第二粘接片高度相同且所述第一粘接片平面尺寸小于第二粘接片。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波寬頻段基片集成混合介質(zhì)諧振器天線，其特征在于：

所述混合介質(zhì)諧振器天線通過PCB技術(shù)進行一體化加工成型。