[發明專利]一種集成電路用銅鈦蝕刻液及其制備方法

在審

• 申請號: 202211589035.4
• 申請日: 2022-12-12
• 公開（公告）號: CN116162932A
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 何珂;戈燁銘;白雪
• 申請（專利權）人: 江蘇中德電子材料科技有限公司
• 主分類號: C23F1/18
• 分類號: C23F1/18;C23F1/26;C23F11/04;H01L21/3213
• 代理公司: 江陰市輕舟專利代理事務所(普通合伙) 32380
• 代理人: 江霞

本發明公開了一種集成電路用銅鈦蝕刻液，屬于刻蝕液制備技術領域，包括以下質量百分比原料：5?20％過硫酸鹽、0.1?2％的含氟化合物、1?10％的無機酸、0.3?3％緩蝕劑、0.1?3％的含氯化合物、0.1?2％磷酸鹽；余量為水；按照配方比例混合均勻，并通入過濾器2次以上，得到集成電路用銅鈦蝕刻液體，發明的集成電路用銅鈦蝕刻液具有黏度小、蝕刻均勻的優點，并且蝕刻液性質穩定，對銅鈦金屬刻蝕速度相同，本發明在蝕刻液中加入了自制的緩蝕劑，其能夠在銅鈦金屬表面形成吸附結構，對銅鈦具有穩定的緩蝕效果，利用緩蝕作用使銅和鈦層蝕刻速度適中，有助于形成均勻光滑的蝕刻表面。

技術領域

本發明屬于刻蝕液制備技術領域，具體涉及一種集成電路用銅鈦蝕刻液及其制備方法。

背景技術

目前，液晶面板生產工藝中，需要用到銅鈦蝕刻液來蝕刻銅鈦雙重膜。現有技術中已知的銅鈦膜蝕刻液體系包括過硫酸鹽體系、過氧化氫體系和氟化物氧化性酸體系，過氧化氫體系的蝕刻液容易被分解卻隨時間不穩定，而硫酸鹽體系的蝕刻速度低且隨時間不穩定，因此，有必要提供一種蝕刻速度快且體系穩定的集成電路用銅鈦蝕刻液及其制備方法。

中國專利CN102834547A中公開了一種用于包括銅層和鈦層的多層薄膜的蝕刻液，其組成為過氧化氫、硝酸、氟離子源、唑類、季銨氫氧化物和過氧化氫穩定劑，上述組分中唑類作為金屬緩蝕劑組分單一，雖然對銅的緩蝕效果較好，但對鈦層的緩蝕效果一般，因此在蝕刻鈦層時蝕刻速度較快，且蝕刻后形成的布線剖面形狀不理想，不適用于平板大尺寸和高分辨率的要求。

發明內容

本發明的目的在于提供一種集成電路用銅鈦蝕刻液及其制備方法，以解決背景技術中的問題。

本發明的目的可以通過以下技術方案實現：

一種集成電路用銅鈦蝕刻液，包括以下質量百分比原料：5-20％過硫酸鹽、0.1-2％的含氟化合物、1-10％的無機酸、0.3-3％緩蝕劑、0.1-3％的含氯化合物、0.1-2％磷酸鹽；余量為水；

該集成電路用銅鈦蝕刻液通過以下步驟制成：

將上述原料按照配方比例混合均勻，并通入過濾器2次以上，得到集成電路用銅鈦蝕刻液體，過濾器中的濾膜孔徑為0.03-0.1μm。

進一步地，緩蝕劑通過以下步驟制成：

步驟S11、將檸檬酸加入燒瓶中，加入二乙醇胺攪拌均勻后，加入對甲苯磺酸，控制攪拌速度為200r/min，升溫至118℃后，通過真空泵控制反應體系的真空度為0.06-0.65MPa，攪拌反應6-8h，反應結束后，得到端羧基超支化聚酰胺；

其中，檸檬酸和二乙醇胺的摩爾比為3：1，對甲苯磺酸用量為檸檬酸和二乙醇胺質量和的2％,通過酯化反應，得到端羧基超支化聚酰胺；

步驟S12、將甲苯加入反應釜中，接著加入端羧基超支化聚酰胺，100-200r/min下，氮氣保護下，滴加氯化亞砜，升溫至40-60℃，攪拌反應6-8h，完成端羧基超支化聚酰胺的酰氯化后，冷卻至室溫，加入封端劑，攪拌10-20min后，加入吡啶，氮氣保護下，升溫至回流反應4-6h，反應結束后，減壓蒸餾去除甲苯，得到緩蝕劑；